采用旋转圆盘电极,用双脉冲电位法从简单的镀液中电沉积Cu-Ni层状材料。研究了镀液中铜含量、添加剂、转速对镀层的组成和结构的影响,并用扫描电镜和X-射线衍射研究了镀层的形貌和组成。结果表明:镀层由纯铜和含有少量铜的铜镍合金层交替组成;为了降低铜在镍层中的含量。可以采取降低镀液中铜含量和降低转速来实现

1 共轭效应：单双键交替出现的体系称为共轭体系。在共轭体系中，由于原子间的相互 影响而使体系内的π电子（或 P 电子）分布发生变化的一种电子效应称为共轭效应。凡共 轭体系上的取代基能降低体系的π电子密度，则这些基团有吸电子的共轭效应，用－C 表示。 凡共轭体系上的取代基能增高共轭体系的π电子云密度，则这些基团有给电子的共轭效应， 用+C 表示。共轭效应只能在共轭体系中传递，但无论共轭体系有多大，共轭效应能贯穿于 整个共轭体系中

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

《电工电子学课程教学讲义（电工技术）第一章 电路的基本概念与基本定律

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

一、单管共射放大电路的频率响应 二、多级放大电路的频率响应

一、概述 二、集成运放中的电流源电路 三、集成运放电路分析 四、集成运放的主要性能指标 五、集成运放的种类

采用固相反应法合成了一系列LiCoxNi1-xO2（0≤x≤1）材料,用XRD和电化学实验方法研究了Co3+取代Ni3+对LiNiO2材料电化学性能的影响.结果表明,当Ni/Co比例为8:2时材料具有最好电化学性能,比容量可以达到170～180mAh/g,并且具有好的抗过充性能

7.1有源滤波电路 7.2集成运放在使用中的一些问题

一、多级放大电路的耦合方式 二、多级放大电路的动态分析