所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

5.1 半导体的基本知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应晶体管

1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应晶体管

第一讲课程设计基本要求及设计方法 第二讲电路元器件原理及使用，安装工艺 第三讲常用设计电路，调试及排除故障方法

晶闸管（Silicon Controlled Rectifier 简称SCR）是在60年代发展起来的一种 新型电力半导体器件，晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

1.1PN结及二极管 1.2半导体三极管 1.3半导体场效应管 1.4场集成运算放大器

所谓替代检测法就是用一个好元件代换怀疑有故障的元件。此法 ，对检修汽车音响软故障有独到的实效。在汽车音响各级放大电路 的检修巾，常常会遇到一些用常规仪表不好检测的故障件，因而不 能对它们的好坏进行判断，如小容量（0.01F以下）电容器失效( 容量减小或开路等)。此时，可用相同型号(或类似的)好元器件替换 被怀疑的元件，这样就能迅速地找出故障元件，恢复机器的正常工 作状态

电阻器的单位是欧姆，用表示，阻值较大的用千欧(k)或兆欧 (M)表示，1M=103kQ=106。 电阻器按结构可分为固定电阻器、可变电阻器、半可变电阻器， 按使用功能可分为热敏电阻器、压敏电阻器、光敏电阻器、熔断电 阻器等

一 、判 断下列说 法是否正 确 ，用“ √ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 （ 1） 在 N 型半导 体中如果 掺入足够 量的三价 元素，可 将其改型 为 P 型半导体。（ ）