▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×

9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源

一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算：

3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

一、（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 二、（1）消除交越失真

1、晶体二极管开关特性 2、二极管限幅器及钳位器 3、晶体管开关特性 4、晶体三极管反相器

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器