采用\热旋锻-拉拔\方法制备了直径为φ65 μm、包覆铜层厚度较均匀、表面质量高和界面结合质量良好的铜包铝复合微丝,研究了合理热旋制度、热旋复合成形铜包铝线材的组织和界面结合状态以及中间退火和拉拔对线材组织与性能的影响.结果表明:合理的旋锻制度为旋锻温度350℃,单道次变形量40%,旋锻后形成了动态再结晶组织和厚度为0.7 μm的界面扩散层.复合线材的合理退火工艺参数为350℃/30 min (退火温度350℃、退火时间30 min),该条件下退火后线材延伸率达到最高值35.7%,界面扩散层厚度约为2.1 μm,退火后铜层和铝芯发生再结晶,组织内部形成等轴晶组织.当退火温度超过350℃时,铜层和铝芯晶粒长大,界面扩散层厚度增加,从而导致线材的延伸率下降.将单道次变形量控制在15%~20%,经过粗拉,制备了φ0.96 mm的丝材;粗拉后不进行退火处理,将单道次变形量控制在8%~15%,经过细拉,制备了表面光洁、直径为φ65 μm的复合微丝.在拉拔过程中,铜层和铝芯均出现〈111〉丝织构

油水两相是海底管道和集输管线常见的腐蚀工况之一。以3Cr钢为代表的低Cr合金钢是目前具有良好耐蚀性能的重要材料，但是，在油水两相层流工况下，特别是加注了一定缓蚀剂的条件下，3Cr钢的适用性尚不明确。通过高温高压反应釜模拟了油水两相层流工况的腐蚀环境，结合扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射谱（XRD）、激光共聚焦拉曼光谱、电化学交流阻抗等测试表征方法，研究了3Cr钢的腐蚀行为及缓蚀剂对其耐蚀性能的影响。结果表明，在油水分层工况下，3Cr钢的腐蚀产物膜为明显的双层膜结构，其内层腐蚀产物膜为结构致密的富Cr层，表现出良好的抗CO2腐蚀性能，但加入100 mg·L?1十七烯基胺乙基咪唑啉季铵盐缓蚀剂后，3Cr钢并未得到有效的缓蚀保护。腐蚀产物分析和电化学研究表明，烷烃分子、缓蚀剂分子及富Cr层间存在竞争关系，烷烃分子干扰了缓蚀剂分子的有序排列，影响了3Cr钢的耐蚀性

1、“层 Layer)”的概念 与字处理或其它许多软件中为实现图、文、色彩等的嵌套与合成而引入的“层”的概念 有所同, Protel的“层”不是虚拟的,而是印刷板材料本身实实在在的各铜箔层。现今,由于 电子线路的元件密集安装。防干扰和布线等特殊要求,一些较新的电子产品中所用的印刷 板不仅有上下两面供走线,在板的中间还设有能被特殊加工的夹层铜箔,例如,现在的计 算机主板所用的印板材料多在4层以上。这些层因加工相对较难而大多用于设置走线较为 简单的电源布线层(如软件中的 Ground dever和 Power Dever),并常用大面积填充的办法 来布线(如软件中的 External phalle和Fll)

21.1 多层厂房的优越性 21.2 多层厂房的适用范围 21.3 多层厂房的平面形式 21.4 柱网选择 21.5 平面布置原则 21.6 结构形式 21.7 多层厂房定位轴线的布置 21.8 多层厂房的层高与层数

基于高炉破损调查取样分析,借助 X 射线荧光分析、X 射线衍射分析、电子探针分析、扫描电子显微镜结合能谱分析 等手段分析了高炉炉缸、炉底不同部位形成的含钛保护层化学成分、物相组成和微观形貌,并建立正规溶液热力学模型对 Ti (C, N)形成的热力学条件进行分析,然后针对高炉的实际工况,明晰高炉炉缸 TiC0郾 3N0郾 7形成的条件

1 油气井低产的主要原因 ⎯ 近井地带受伤害，导致渗透率严重下降； ⎯ 地层原油粘度高 ⎯ 油气层渗透性差； ⎯ 地层压力低，油气层剩余能量不足 2 油气井增产途径 ⎯ 提高或恢复地层渗透率； ⎯ 保持压力增加地层能量 ⎯ 降低井底回压； ⎯ 降低原油粘度 3 油气井增产方法 ⎯ 水力压裂； ⎯ 酸化、酸压 ⎯ 爆炸（高能气体压裂）； ⎯ 物理法 第一节 造缝机理 第二节 压裂液 第三节 支撑剂 第四节 裂缝扩展模型 第五节 压裂设计 第六节 压裂工艺技术

首先搭建具有高精度面投影微立体光刻设备，通过理论分析和实验相结合的方法获得最优打印工艺参数，然后提出一种可用于模拟地层岩心的微球堆叠岩心模型，并通过分析岩心模型成型机理，选取具有更高成型精度的堆积方式对岩心模型进行设计。该模拟岩心制造方法具有对特殊岩心结构制造的高适应性，为实验室显微镜下研究多种EOR技术微观驱替机理提供了新思路

通过对钢筋混凝土(RC)梁构件进行受损前后的受弯性能加固实验研究,分析了实验构件的破坏形态、裂缝分布、荷载-挠度曲线、钢绞线的应变曲线以及极限承载力等.研究表明,普通RC梁在一般过火条件下,其抗弯承载力和刚度有一定程度的降低,而采用高强钢绞线网-聚合物砂浆复合面层加固技术(SMPM)加固后,其加固效果显著,承载力较过火梁显著提高,可恢复到其过火前的水平

4.1 概述 4.2 存储器的层次结构 4.3 高速缓冲存储器（Cache) 4.4 存储介质 1.存储器的分类 2.存储器的层次结构 3.半导体存储芯片的译码方式（线选法、重合法）及其特点 4.存储器的性能指标 5.SRAM的工作原理 6.DRAM的工作原理 7.DRAM的刷新方式及其特点 8.磁表面存储器的记录方式 9.硬盘记录格式中的几个概念—盘面、磁道、扇区、柱面等 10.几种主要辅存的特点 11.CRC校验

担子菌亚门真菌的共同特征是有性生殖产 生担子孢子，简称担孢子。担孢子产生于担子 上，每个担子一般形成4个担孢子。 高等担子菌的担子着生在具有高度组织化 的结构上，形成子实层，这种担子菌的产孢结 构叫担子果（basidiocarp）。常见的各种蘑菇、 木耳、银耳、灵芝等，都是担子菌的担子果。 二、担子菌的营养体 三、担子菌的锁状联合 四、担子菌的繁殖 五、担子菌的生态习性 六、分类 七、锈菌纲（Uredinomycetes） 八、黑粉菌纲（Ustilaginomycetes） 九、层菌纲（Hymenomycetes） 十、腹菌纲（Gasteromycetes）