10.1常用接口器件 10.2常用接口设计

4.1 面向对象的基本概念 4.2 ODL的基本结构 4.3 子类和约束 4.4 本章小结

1图象的表示形式 2遥感数字图象表示方法 3遥感数字图象处理系统

第7章MCS-51存储器的扩展 7.1随机读写存储器RAM的扩展 7.2只读存储器ROM的扩展 7.3地址译码的方法

第一章单片机基础知识 内容提要: 1-1单片机概述 1-2数制及数码

10.1 单片机扩展D/A转换器概述 10.2 单片机扩展并行8位DAC0832的设计 10.2.1 DAC0832简介 10.2.2 单片机与8位D/A转换器0832的接口设计 10.3 AT89S52单片机与12位D/A转换器AD667的接口设计 10.3.1 12位D/A转换器AD667简介 10.3.2 AD667与AT89S51单片机的接口设计 10.3.3 AD667使用中的技术细节 10.4 AT89S51与串行输入的12位D/A转换器AD7543的接口设计 10.4.1 AD7543简介 10.4.2 单片机扩展AD7543的接口设计 10.5 单片机扩展A/D转换器概述 10.6 单片机扩展并行8位A/D转换器ADC0809 10.6.1 ADC0809简介 10.6.2 单片机与ADC0809的接口设计 10.7 AT89S52单片机扩展12位串行ADC-TLC2543的设计 10.7.1 TLC2543的特性及工作原理 10.7.2 单片机扩展TLC2543的设计 10.8 AT89S52与双积分型A/D转换器MC14433的接口 10.8.1 MC14433 A/D转换器简介 10.8.2 单片机与MC14433的接口设计 10.9 AT89S52单片机与V/F转换器的接口 10.9.1 用V/F转换器实现A/D转换的原理 10.9.2 常用V/F转换器LMX31简介 10.9.3 V/F转换器与单片机的接口设计 10.9.4 V/F转换的应用设计

一、掌握晶闸管的基本工作原理、特性和主要参数的含义； 二、掌握几种单相和三相基本可控整流电路的工作原理及特点； 三、熟悉逆变器的基本工作原理、用途和控制；

6.1 基本概念 The primary concept of redox reaction 6.2 氧化还原反应方程式的配平 Balancing redox reaction equation 6.3 水溶液中氧化还原反应的自发性—电极 电势Spontaneity of redox reaction in aqueous solution — electrode potential 6.4 影响氧化还原反应的动力学因素 Influence of dynamic factors on redox 6.5 应用电化学简介 Introduction to application electrochemistry

4.1 功能指令概述 4.2 数据处理指令 4.3 数学运算指令 4.4 程序控制指令 4.5 局部变量表与子程序 4.6 中断程序与中断指令 4.7 高速计数器与高速脉冲输出指令 4.8 数据块应用与字符串指令

本文研究了锰矿直接合金化过程中锰氧化物与钢液间的作用。碱度和钢中含硅量是影响还原反应的主要热力学因素,无论是FeSi还是SiC作还原剂,锰的还原速度均处于10-5mol Mn/s·cm2数量级。但SiC的溶入速度对还原过程有影响,反应5~15min基本趋于稳定,SiC作还原剂时,还原反应的表观反应级数开始为1,而后有所升高