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A-1磁场和磁路 A-2铁磁物质的磁化曲线 A-3磁路的基本定律 A-4恒定磁通磁路的计算 A-5交变磁通磁路简介 A-6铁/线圈
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§1-1电力 现在来考虑这么一种力。这种力活象引力,也是与距离平方成反比地变化的,但比引力 要强约一万亿亿亿亿倍另外,还有一点区别,即存在两种我们可称之为正的和负的物质,种 类相同的相斥,不同的相吸这就不象引力,里只存在吸引这样,会出现什么情景呢?
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例:设计一序列信号发生器,产生序列1010010100 序列信号发生器就是用来产生序列电位和序列脉 冲的逻辑部件。按其结构来分,序列信号发生器可分 为计数型和移位型两种 计数型序列信号发生器由计数器和组合电路来构 成。计数器相当于组合电路的输入源,决定序列信号 的长度,组合电路则在这个输入源的作用下产生序列 信号。这时,计数器的输出可以供给几个组合电路, 产生几种长度相同但是序列内容不同的序列信号。 计数型序列信号发生器的设计方法 1、根据序列长度M确定触发器位数k,2k1
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Sec2.1 CMOS 反向器 • 1.CMOS逻辑电路的逻辑电平 • 2.CMOS 反向器 Sec 2.2 CMOS 逻辑门 ➢ CMOS 与非门 ➢ CMOS 或非门 ➢ CMOS 同向缓冲逻辑门 ➢ 与-或-非门 ➢ 异或门 ➢ 三态门 Sec2.3.异或门和其他逻辑门 • 1. 异或门及其应用 • 2. 传输门及其应用 • 3. 三态门 • 4. 漏极开路门 • 5. “线与”逻辑
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( 1) 都是非数值型的非线性函数的逼近器、估计器、和动态系统; (2) 不需要数学模型进行描述,但都可用数学工具进行处理; (3)都适合于VLSI、光电器件等硬件实现
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3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战
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学习要点: •熟悉常用ROM的内部结构和使用方法 •熟悉常用RAM的内部结构和使用方法 •掌握存储器容量的扩展方法(字、位) •了解可编程逻辑器件:PLD、PAL、GAL 10.1 半导体存储器 10.1.1 只读存储器(ROM) 10.1.2 随机存储器(RAM) 10.1.3 存储器容量的扩展 10.2 可编程逻辑器件 10.2.1 PLD的电路表示法 10.2.2 可编程阵列逻辑器件PAL 10.2.3 通用阵列逻辑器件GAL
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6.5同步时序逻辑电路的设计 同步时序逻辑电路设计又称同步时序逻辑电路 综合,其基本指导思想是用尽可能少的触发器和门 电路来完成设计。 6.5.1同步时序电路设计的一般步骤 1.作原始状态图和状态表; 2.对原始状态表化简; 3.状态分配; 4.选定触发器;5.求出输出函数和激励函数表达式; 6.画出逻辑电路图
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第九章氧化还原滴定法 第一节绪论 一、氧化还原滴定法:以氧化还原反应为基础的滴定 分析方法 二、实质:电子的转移 三、特点: (1)机理复杂、多步反应 (2)有的程度虽高但速度缓慢 (3)有的伴有副反应而无明确计量关系 四、分类: 碘量法、高锰酸钾法、重铬酸钾法、亚硝酸钠法、溴量法、铈量法 五、应用:广泛,直接或间接测定无机物、有机物
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02-01-05一级考试选择题(1) 1、()不是计算机必需的工作环境。 A)恒温B)良好的接地线路C)远离强磁场D)稳定的电源电压 2、运算器中的运算结果可直接传送到() A) RAM B)软盘 C)ROM D)硬盘 3、在计算机系统中,IO接口位于()之间。 A)主机与IO设备 B)CPU与内存储器 C)IO设备与总线 D)内存储器与IO设备
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