8.1 半导体三极管 8.1.1 三极管结构与类型 8.1.2 三极管的电流放大作用 8.1.3 三极管的输入特性与输出特性 8.1.4 三极管的主要参数 8.2 三极管放大电路的组成 8.2.1 三极管放大时的三种组态 8.2.2 放大器的组成 8.2.3 放大器的放大倍数及增益 8.3 共发射极放大电路 8.3.1 电路的构成 8.3.2 电路的静态分析 8.3.3 电路的动态分析 8.3.4 共发射极放大电路的特点与应用 8.4 共集电极放大电路 8.4.1 电路的构成 8.4.2 电路分析 8.4.3 共集电极放大电路的特点与应用 8.5 功率放大电路 8.5.1 功率放大电路的类型及特点 8.5.2 OCL功率放大电路 8.5.3 OTL功率放大电路 8.6 单管放大电路实验 8.6.1 实验目的 8.6.2 实验仪器 8.6.3 实验电路 8.6.4 实验内容 8.6.5 思考题 8.7 功率放大器实验 8.7.1 实验目的 8.7.2 实验仪器 8.7.3 实验电路 8.7.4 实验内容 8.7.5 思考题

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

重点：反馈的概念、反馈性质的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算方法、引人负反馈的方法和负反馈放大电路稳定性的判断方法和消振方法。难点：反馈概念的建立、反馈的判断、反馈网络的确定、稳定性的判断主要表现为基本概念和基本知识不清,比如,没有建立起只要放大电路的输出回路和输入回路之间有联系(不一定是输出端和输入端产生联系)就有反馈,反馈量是仅仅决定于输出量的物理量等概念

第7章直流稳压电路 1直流电源的组成 小功率直流电源一般由交流电源、变压器、整流、 滤波和稳压电路几部分组成,如图7.1所示。在电路中, 变压器将常规的交流电压(220V、380V)变换成所需要 的交流电压;整流电路将交流电压变换成单方向脉动的 直流电;滤波电路再将单方向脉动的直流电中所含的大 部分交流成分滤掉,得到一个较平滑的直流电;稳压电 路用来消除由于电网电压波动、负载改变对其产生的影 响,从而使输出电压稳定

《人工智能导论》为计算机科学技术专业和软件工程专业的一门选修课，其目的是使学生初步了解人工智能的基本原理，初步学习和掌握人工智能的基本技术，以便拓宽知识面，并为进一步学习和应用奠定基础。本课程的具体要求为： 1. 了解人工智能的基本概念、分支领域及其发展概况； 2. 理解知识表示及其推理的基本原理，掌握其基本技术； 3. 理解基于搜索的问题求解基本原理，掌握其基本技术； 4. 理解机器学习、知识发现的基本原理；初步掌握其基本方法； 5. 学会一种人工智能程序语言，掌握简单的智能程序设计方法； 6. 能综合运用所学知识，设计实现一个小型专家系统。 教学重点、难点： 1. 搜索与问题求解； 2. 知识表示及其推理； 3. 机器学习与知识发现； 4. 专家系统原理与设计

本课程是电气工程及其自动化专业本科生的专业方向主干课程。通过本课程的教学，使学生掌握电网的电流保护、方向性电流保护、距离保护、差动保护的基本原理、构成特点及其适用条件，学习电力变压器、发电机、母线的继电保护原理，了解电力系统继电保护装置的配置原则和整定计算，掌握继电保护的基本试验方法。 通过本课程的学习，使学生掌握继电保护的原理和实现方法，为学生毕业后从事本专业领域工作打下必要的理论和实际知识的基础

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题

高熵合金与非晶合金作为新一代金属材料，具备许多优异的物理、化学及力学性能，在柔性电子领域展现出巨大的应用潜力。传统的块体高熵合金与非晶合金虽然性能优异，但由于材料本身的刚性特点无法满足可变形电子设备的柔性需求，因此需要通过一定方式如降低维度、设计微结构等赋予其柔性特征。在简述高熵合金柔性纤维的力学性能特点的基础上，介绍了高熵合金薄膜作为潜在柔性材料的制备方式与结构性能特点，总结了非晶合金薄膜应用于电子皮肤、柔性电极、微结构制作等柔性电子领域中的最新进展，最后讨论了现有工作的不足之处并对未来柔性电子的发展前景进行了展望

为满足现代电子工业日益增长的散热需求，急需研究和开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料，而改善复合材料中增强相与基体的界面结合状况是提高复合材料热导率的重要途径.本文在对金刚石和镀Cr金刚石进行镀Cu和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了不同的金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合状况，测定了复合材料的热导率.实验结果表明：复合材料中金刚石颗粒均匀分布于玻璃基体中，Cu/金刚石界面和Cr/Cu界面分别是两种复合材料中结合最弱的界面；复合材料的热导率随着金刚石体积分数的增加而增加；金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而降低，由于镀Cr层实现了与金刚石的化学结合以及Cr在Cu层中的扩散，镀Cr金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而增加.当金刚石粒径为100μm、体积分数为70%及镀Cu层厚度为约1.59μm时，复合材料的热导率最高达到约91.0 W·m-1·K-1