4.8.1. PSD器件的工作原理 4.8.2. 一维PSD器件 4.8.3.二维PSD器件 4.8.4 光生伏特器件的偏置电路 4.8.5 零伏置电路

 1.1 热释电器件的基本工作原理 1.2 热释电器件的灵敏度  1.3 热释电器件的噪声  1.4 热释电器件的类型 1.5 典型热释电器件 1.6 热探测器概述

3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应

在电子系统中把输出回路的电量(电压或电流)馈送到输入回路的过程。净输入信号>输出幅度增加

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验，借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分，但强度很弱，高斯晶粒偏离角在10o以上；900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒；950~1000℃时高斯晶粒异常长大，偏离角3o~6o；在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势

§2.1 电磁波与光辐射 §2.2 光辐射的度量 §2.3 黑体辐射 §2.4 光源 §2.5 光源调制与旋光效应调制器

§9.1 在生活中的应用 衣、食、住、行 §9.2 在安全及军事方面的应用 安全方面的应用， 军事方面的应用 §9.3 在工业方面的应用 光束检测，红外成像检测， 激光检测 §9.4 在农业方面的应用 §9.5 光电探测与诺贝尔科学奖

§6.5.1 视像管 §6.5.3 光电发射式摄像管 §6.5.4 微光像增强器 §6.5.5 微光摄像CCD器件 §6.5.2 硅靶摄像管