为揭示各种行波磁场铸流搅拌的电磁冶金效果，基于计算域分段法建立了断面1280 mm×200 mm板坯连铸电磁、流动、传热和凝固的耦合模型，利用电气参数和磁感应强度的实测值和预测值的对比验证了模型的可靠性。研究表明：行波磁场搅拌器因电磁推力的方向性特点在板坯二冷区搅拌过程中均表现有不同程度与特征的端部效应，辊后箱式搅拌器(Box-typed electromagnetic stirrer, B-EMS)的单侧安装形式导致板坯内弧侧磁感应强度远大于外弧侧，辊式搅拌器(Roller-typed electromagnetic stirrer, R-EMS)的对辊安装形式则使磁感应强度呈现对称分布。在400 kW和7 Hz的相同电气参数下，R-EMS的电流强度比B-EMS高75 A；尽管箱式电磁搅拌的有效作用区域较辊式电磁搅拌大，铸坯中心钢液过热耗散区域大，但辊式搅拌推动钢液冲刷凝固前沿形核作用则明显大于箱式搅拌。两者均具有较好的抑制柱状晶生长、促进凝固前沿等轴晶形核与发展的能力，将不锈钢板坯等轴晶率提高至45%的门槛值以上，其中间隔型反向辊式搅拌器下的等轴晶率比箱式搅拌高约17%。综合表明，基于行波磁场铸流搅拌的间隔型反向辊式搅拌器有望更好地消除铁素体不锈钢板材表面皱折缺陷

本章内容主要阐述了电力系统常见的内部过电压，其中对于各种内部过电压而言主要是由于系统某些操作单元的改变造成拓扑结构的变化，以及电容、电感的储能作用，从而使系统进入状态改变中出现过电压现象。对于本章的理解一定建立在能量守恒的角度上考虑问题，这样能定性的分析一些问题。此外对于定量分析问题，需要掌握的有：  空载长线效应及其改善措施  合闸和分闸过电压（直流、交流）  雷电过电压的保护范围

13.1 单片机与外围集成数字驱动电路的接口 13.2 单片机与光电耦合器的接口 13.2.1. 晶体管输出型光电耦合器驱动接口 13.2.2. 晶闸管输出型光电耦合器驱动接口 13.3 单片机与继电器的接口 13.3.1 单片机与直流电磁式继电器功率接口 13.3.2 单片机与交流电磁式接触器的接口 13.4 单片机与晶闸管的接口 13.4.1 单向晶闸管 13.4.2 双向晶闸管 13.4.3 光耦合双向可控硅驱动器 13.5 单片机与集成功率电子开关输出接口 13.5.1 集成功率电子开关TWH8751简介 13.5.2 集成功率电子开关TWH8751的典型应用 13.6 单片机与固态继电器的接口 13.6.1 固态继电器的特性与分类 13.6.2 固态继电器的应用 13.7 低压开关量信号输出技术

I 目 录 第一部分 专业 一、学科基础课程 《高等数学 I》 《力学 I》 《热学》 《高等数学 II》 《电磁学 I》 《普通物理实验 I》 《光学》 《普通物理实验Ⅱ》 二、专业教育必修课程 《数学物理方法》 《理论力学》 《原子物理学》 《电动力学 I》 《量子力学 I》 《热力学统计物理》 《近代物理实验 I》 《毕业论文》 三、专业教育选修课程 《计算机组装与维护》 《中学物理实验教具设计》 《中学物理教学技能综合训练Ⅰ（语言训练）》 《中学物理教学技能综合训练 II（书写训练）》 《小学科学》 《小学科学实验教具设计》 《中学物理常用仪器维修》 II 《通用技术》 《小学科学实验研究》 《中学物理实验教学研究与技能训练》 《物理学史》 《中学物理竞赛》 《物理教学资源开发》 《中学物理试题研究与设计》 《中学物理教学技能综合训练 III（说课训练）》 《中学物理教学技能综合训练 IV（试讲训练）》 《教育技能综合测试》 《中学物理疑难分析》 《力学 II》 《电磁学 II》 《电工学》 《模拟电子线路》 《概率与数理统计》 《场论与线性代数》 《数字电子线路》 《程序设计语言》 《高频电子线路》 《普通物理实验Ⅲ》 《现代物理专题》 《单片机原理与技术》 《原子核物理学》 《电动力学 II》 《音响设备技术》 《嵌入式系统开发》 《电视技术》 《应用物理技术》 《量子力学 II》 III 《MATLAB 数值分析》 《近代物理实验 II》 《JAVA 编程基础》 《Android 基础》 《激光原理与应用》 《Mathematica 与数字化物理学》 《固体物理学》 第二部分 职业 一、职业理论基础必修课程 《中学物理教育》 《教师语言训练》实践 《书写技能训练》实践 《教育技术与技能训练》 《班级管理》 二、职业技能训练选修课程 《多媒体课件制作》 《教育研究方法》 《教师专业发展》 《中学综合实践活动》 《基础教育改革》 《微格教学训练》 《中学物理教材分析与研究》 三、职业实践必修课程 《见习 Ⅰ》 《见习 Ⅱ》 《见习 Ⅲ》 《见习 Ⅳ》 《教育实习》 四、创新创业教育课程 《创新创业教育》 IV 《中学物理教育创新创业实践指导》

采用激光电子散斑干涉技术、电化学阻抗技术和扫描电化学显微镜技术实时、动态和原位观测了涂覆丙烯酸聚氨酯涂层的碳钢在质量分数为3.5%的NaCl溶液中浸泡初期的界面腐蚀行为,并对比了纳米TiO2的添加对界面腐蚀行为的影响.在浸泡初期无宏观缺陷存在时,激光电子散斑干涉技术成功检测到涂层界面的微小变化,电化学阻抗技术显示不同涂层低频阻抗膜值的变化情况,均与扫描电化学显微镜技术获得的腐蚀电化学形貌结果一致,即在浸泡初期,未添加纳米TiO2的涂层其界面变化速度(即锈蚀萌生速度)较添加涂层明显得多,表明纳米TiO2可延缓涂层/碳钢的界面失效

本工作用化学平衡法研究了本熔盐体系中铁离子的存在价态。证明:在Pc12→O时,FeCl3几乎全部分解。在Pc12=1atm时,Fe(Ⅲ)/Fe(Ⅱ)=1.36(700℃)。温度升高,Fe(Ⅲ)/Fe(Ⅱ)减小。用循环伏安法研究了铁离子在本熔盐体系中的电极反应的动力学特点。实验证明,阴极反应Fe(Ⅱ)+2e→Fe(O)受离子扩散控制,其表观活化能为12.9±2.4KJ/mol,Fe(Ⅱ)的扩散系数为(4.31±0.79)×10-5cm2/s。阳极反应Fe(Ⅱ)-e→Fe(Ⅲ)也受离子扩散控制,且其产物Fe(Ⅲ)随即迅速分解。因此,铁离子的交价对电解除铁的电效影响不大。电解除铁的实验室实验证实了上述结果,并找出:镁与铁共同析出是降低除铁电效的主要原因;电解除铁的较好条件为:700℃,阴极电流密度为0.2A/cm2,阴极区氯分压应尽可能低。在这些条件下,电效可达70%

基于传感器技术、信号处理技术和模式识别技术发展起来的电子鼻技术是过去二十年中发展最为迅速的气相分析和气体检测技术之一,它已逐渐在生物医学、环境监测、农业生产、食品检测等多个领域得到应用.电子鼻是利用对待测气体具有交叉敏感性的传感器阵列将待测气体中的混杂气味组分信息转化为与时间、成分、浓度或含量相关的可测物理信号组,利用信号采集系统输出含有待测气体特征信息的数字信号,通过模式识别系统分析数字信号得到待测气体综合气味信息和隐含特征,实现对待测气体快速、系统、准确的鉴别和分析.本文综述了电子鼻技术中的传感器技术和模式识别技术及在中国白酒品牌鉴定、风味识别、酒龄检测方面的最新研究进展;以聚合物石英压电传感器型电子鼻为例,阐明该电子鼻的技术方案及其在中国白酒检测中的应用;展望电子鼻未来研究方向

建立了煤岩受载破坏声电全波形同步采集系统, 对煤样单轴压缩破坏过程中的声电信号进行了全波形采集, 研究了声电信号能量与载荷降之间的相关关系, 并分析了声电信号的频谱特征. 结果表明: (1)煤体受载破坏过程中产生显著的声电信号; 电磁辐射信号是阵发性的, 仅伴随载荷降和较高强度声发射信号出现; (2)相对于声发射, 电磁辐射与载荷降有更好的相关性; 与煤体受载破坏的能量释放累积量相关联的声电信号能量和载荷降累计值三者之间均呈高度正相关; (3)电磁辐射优势频带窄于声发射, 前者主要集中在1~25 kHz, 后者主要集中在1~280 kHz; 受同一裂纹萌生和扩展的影响, 两者在频谱和主频分布上都有近似的低频成分

§8.1 表面吉布斯函数与表面张力 表面吉布斯函数σ 表面张力σ 影响表面张力的因素 巨大表面系统的表面吉布斯函数 §8.2 纯液体的表面现象 1. 弯曲液面的附加压力 2. 曲率对蒸气压的影响 3. 液体的润湿与铺展 4. 毛细管现象 §8.3 气体在固体表面上的吸附 1.气固吸附的一般常识 2.Langmuir单分子层吸附等温式 3.BET吸附等温式：多分子层气固吸附理论 4.其它吸附等温式 §8.4 溶液的表面吸附 1. 溶液表面的吸附现象 2. Gibbs吸附公式 3. 表面活性剂的吸附层结构 4. 表面膜 §8.5 表面活性剂及其作用 1.表面活性剂的分类 2.胶束和临界胶束浓度 3.表面活性剂的作用 §8.6 分散系统的分类 §8.7 溶胶的光学和力学性质 1.丁达尔（Tyndall）效应 2. 布朗（Brown）运动 3. 扩散 4. 沉降和沉降平衡 §8.8 溶胶的电性质 1.电动现象：电泳；电渗 2.溶胶粒子带电的原因 3.溶胶粒子的双电层 4.溶胶粒子的结构——胶团 §8.9 溶胶的聚沉和絮凝 1. 外加电解质对聚沉的影响 2. 溶胶的相互聚沉 3. 絮凝 §8.10 溶胶的制备和净化 §8.11 高分子溶液

采用一种简便、快速和低温的水热法制备了超级电容器用MnO2微纳米球和微米棒粉体颗粒,并用正交试验和单因素实验对其制备工艺进行了优化。通过X射线衍射、扫描电镜和电化学测试,研究了所得材料的晶体结构、表面形貌和超电容性能.最佳合成工艺条件为:反应温度150℃,KMnO4/MnCl2摩尔比2.5:1.0,反应时间3h,填充率40%。该工艺下所制的样品为α-MnO2,且呈现出空心、表面多孔的微纳米球和微米棒形貌.微纳米球的直径约为0.2-0.8μm,微米棒的直径约为30nm、长约为5μm.在此条件下,所得样品在100、150、200、250和300mA·g-1电流密度下,第5次的放电比电容分别为255、170、133、105和88F·g-1,其等效串联电阻和电荷转移电阻分别为0.37和0.40Ω