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采用水热法和还原氮化法合成了菊花状形貌的氮化钛(TiN)纳米材料,并将其与还原氧化石墨烯(rGO)水热复合制备了氮化钛–还原氧化石墨烯(TiN-rGO)复合材料。利用扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试方法对材料的形貌和物相进行了表征和分析。结果表明,TiN-rGO复合材料很好地保持了TiN菊花状的三维结构和rGO透明褶皱的形貌,且层状的rGO均匀地包覆在了菊花状的TiN的周围。用TiN-rGO复合材料修饰玻碳电极(GCE)制得了TiN-rGO/GCE电化学传感器,用于测定人体中的生物小分子DA和UA。由于复合材料中TiN和rGO的协同效应,构建的电化学传感器表现出了优秀的电化学性能。检测结果表明:TiN-rGO/GCE传感器对DA和UA的检测限分别为0.11和0.12 μmol·L?1,线性范围分别为0.5~210 μmol·L?1和5~350 μmol·L?1,且具有良好的抗干扰性、重现性和稳定性,且成功应用于人体内真实样品的DA和UA检测
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以过渡金属硫酸盐、氢氧化钠、氨水为原料,通过连续共沉淀–高温固相法制备了富锂锰基正极材料Li1.17Ni0.33Mn0.5O2。对其进行了包括微观形貌、宏观形貌、晶体结构、电化学性能等方面的表征,研究了前驱体烘干温度对于粒度较小前驱体的宏观形貌及锂化后正极材料的微观形貌和电化学性能的影响。结果表明,烘干温度较高的前驱体在烘干后出现了明显了宏观烧结现象,锂化并涂布后出现了明显的颗粒;烘干温度较低的前驱体在烘干后并未出现宏观烧结现象,锂化并涂布后未出现明显的颗粒。在电化学性能方面,前驱体烘干温度较高的正极材料在经历50个循环后,可逆比容量只剩下85%,下降比较明显;前驱体烘干温度较低的正极材料在经历了50个循环后,可逆比容量未出现明显下降
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①栅源电压对1的控制作用 ②漏源电压对i的影响
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半导体二极管及基本电路 一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路分析 五、特殊二极管
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半导体三极合放大电路基碰 一、半导体三极 二、基本放大电路
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1.防止人身遭受电击; 2.防止设备和线路遭受损坏; 3.预防火灾; 4.防止雷击; 5.防止静电损害; 6.保证电力系统的正常运行
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13.1电力系统 13.2工业企业配电 13.3安全用电
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Rectifier Diode: Current vs Mounting area
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The Bipolar Junction Transistor The term Bipolar is because two type of charges (electrons and holes) are involved in the flow of electricity The term Junction is because there are two pn Junctions There are two configurations for this device n-type p-type n-type
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1.2.1 模拟信号的放大 1.2.2 放大电路模型 1.2.3 放大电路的主要性能指标
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