3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应

第1章电子测量概论 第2章基本测量理论与测量数据处理 第3章电流、电压与功率测量 第4章电子元器件与集成电路测量 第5章测量用信号发生器 第6章频率与时间测量

6.1 时序逻辑电路的基本概念 6.2 时序逻辑电路的分析方法 6.3 同步时序逻辑电路的设计方法

对ASP生产Ti-IF钢的退火再结晶过程分别进行了罩式退火和连续退火模拟实验,通过金相组织观察和力学性能检测,并结合X射线衍射和电子背散射衍射技术,从不同的实验角度对再结晶组织和织构的形成及演变进行了研究.结果表明,由于罩式退火和连续退火两者的热历史过程不同,其再结晶组织转变温度及晶粒度有所不同,但是再结晶核心的形成位置及演变方式趋于一致,形核方式趋向于择优形核

所谓编码就是赋予选定的一系列二进制代码以 固定的含义。（从码的角度看） 给输入信号一个特定代码。（从信号角度看） n个二进制代码（n位二进制数）有2n种不 同的组合，可以表示2n个信号

采用电子背散射衍射技术等实验方法,研究了控轧控冷工艺制备的铌钒微合金化C-Mn-Si系热轧TRIP钢的显微组织及相组成,并分析了与其对应的力学性能.奥氏体轧制过程中的热变形及随后的冷却工艺对最终各相组织的形貌、大小和分布都有直接影响,并决定TRIP钢最终的力学性能.对TRIP钢卷取温度的模拟结果显示,与450和350℃模拟卷取温度相比,400℃模拟卷取温度能使该钢获得更好的综合力学性能

9.1配合物的组成和命名 一、配合物的定义 凡含有配离子的化合物称为配位化合物,简称配合物。 二、配合物的组成 配合物由内界和外界两部分组成。在配合物内,提供电子对的分子或离子成为称为配位体;接受电子对的离子或电子称为配位中心离子;中心离子与配位体结合构成内界;配合物中的其他离子,构成配合物的外界

1、数字量和模拟量 在自然界存在两类物理量： 一类物理量的变化在时间上和数量上都是离散的、 不连续的。其值的大小和增减变化都是某一个最小数量 单位的整数倍，且无任何物理意义。这一类物理量叫做 数字量，把表示数字量的信号叫做数字信号，把工作在 数字信号下的电子电路数字电路