①首先检查 CMOS SETUP是否丢失了硬盘配置信息。测量主板上 COMS RAM电路是否为电池有故 障,或元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等损坏能原因而CMOS中的硬盘配置参数出 错

◼ 压力单位及测压仪表 ◼ 弹性式压力计 ◼ 弹性元件 ◼ 弹簧管压力表 ◼ 电气式压力计 ◼ 应变片式压力传感器 ◼ 压阻式压力传感器 ◼ 电容式压力传感器 ◼ 智能式变送器 ◼ 智能变送器的特点 ◼ 智能变送器的结构原理 ◼ 压力计的选用及安装 ◼ 压力计的选用 ◼ 压力计的安装

(1)化学反应的实质:a分子轨道在化学反应过程中进行改组,并且 涉及分子轨道的对称性;b.电荷分布在化学反应过程中发生改变, 电子发生转移,在此过程中削弱原有的化学键,同时加强新的化学 键,而电子由电负性小的原子向电负性大的原子转移比较容易

第一节 电厂锅炉概述 第二节 燃料的成分及特性 第三节 煤粉及其制备系统 第四节 煤粉燃烧 第五节 锅炉受热面 第六节 锅炉的主要辅助设备 附录：各种不同型号锅炉

对资源优化配置的非参数模型在电力工业中的应用进行了研究.选择了国内部分电网的数据,从纯技术效率、规模效率以及投入可处置度、投入组合效率、投入综合效率的角度对部分电力企业的资源配置效率进行了横向分析,结果表明,不同的电力企业之间的资源配置效率差距较大,电力企业总体上生产性投资的要素组合比例不合理,利用率较低

1.一个半径为 R 的电介质球 极化强度 P=K 2 r r 电容率为 (1)计算束缚电荷的体密度和面密度 (2)计算自由电荷体密度 (3)计算球外和球内的电势 (4)求该带电介质球产生的静电场总能量

一、三绕组变压器 二、自耦变压器 三、电压互感器和电流互感器

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相

3.1 .1 BJT参数的温度特性 3.1.2 主要镜像电流源