用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

电子信息专业的专业基础课。主要介绍通信 系统的概念和信息传输的基本原理。讲述通 信系统的构成原理及性能的基本分析方法

“互联网＋”的本质与进程 互联网+的动力之源 云网端、大数据和分工网络 “互联网＋零售业” 网络零售释放内需潜力 “互联网＋批发业” 产业集群线上转型 “互联网＋制造业” 柔性化生产加速 “互联网＋外贸” 跨境电商崛起 “互联网＋农业” 老树发新芽 “互联网＋金融” 普惠金融梦想成真 “互联网＋物流” 电商物流异军突起

设计一个单片机测控系统，一般可分为四个步骤： （1）需求分析，方案论证和总体设计阶段 需求分析:被测控参数的形式（电量、非电量、模拟 量、数字量等）、被测控参数的范围、性能指标、 系统功能、工作环境、显示、报警、打印要求等。 方案论证:根据要求，设计出符合现场条件的软硬件 方案，又要使系统简单、经济、可靠，这是进行方 案论证与总体设计一贯坚持的原则

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

5.1 拉普拉斯变换 一、从傅里叶变换到拉普拉斯变换 二、收敛域 三、(单边)拉普拉斯变换 5.2 拉普拉斯变换的性质 5.3 拉普拉斯变换逆变换 5.4 复频域分析 一、微分方程的变换解 二、系统函数 三、系统的s域框图 四、电路的s域模型

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16.1 D/A转换器概述 D/A转换器输入的是数字量，经转换后输出的是模拟量。 有关D/A转换器的技术性能指标很多，例如绝对精度、相对精 度、线性度、输出电压范围、温度系数、输入数字代码种类 （二进制或BCD码）等。 1) 分辩率 分辨率是D/A转换器对输入量变化敏感程度的描述，与输 入数字量的位数有关。如果数字量的位数为n，则D/A转换器 的分辨率为2-n。这就意味着数/模转换器能对满刻度的2-n输入 量作出反应

1．按键的分类 按键按照结构原理可分为两类，一类是触点式开关按键， 如机械式开关、导电橡胶式开关等；另一类是无触点式开关按 键，如电气式按键，磁感应按键等。前者造价低，后者寿命长。 目前，微机系统中最常见的是触点式开关按键

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