点击切换搜索课件文库搜索结果(6502)
文档格式:DOC 文档大小:41KB 文档页数:3
1、通过讲授,使学生初步掌握健美操运动的概念、分类、特点与功能。 2、通过讲授,使学生对健美操运动的起源、发展及趋势有初步的了解。 教学重点:健美操运动的概念、分类、特点与功能 教学难点:健美操运动的分类和健美操运动的发展趋势
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
文档格式:PDF 文档大小:658.52KB 文档页数:6
利用高性能吸氢-歧化-脱氢-再复合(HDDR)NdFeB各向异性磁粉,通过两步法伴温磁场取向工艺制备高性能柔性各向异性NdFeB黏结磁体,重点研究了两步法伴温磁场取向工艺制备出不同成分配比磁体的磁性能和力学性能.结果发现:制备出磁体的取向度有大幅度提高,当成分配比(质量分数)为96.5%磁粉+1%偶联剂+2.5%黏结体系的磁体在120℃加热保温30 min磁场取向后,磁能积达到97 kJ·m-3,而磁体的矫顽力最大降幅只有1.3%,论证了两步法伴温磁场取向工艺制备柔性各向异性NdFeB黏结磁体在实际生产的可行性.环氧树脂润滑剂的加入使得制备出磁体的延伸率和柔性均大幅度下降,并且加入量越多,下降幅度越大,因此环氧树脂润滑剂最大加入量不应超过1%(质量分数)
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
文档格式:PDF 文档大小:1.05MB 文档页数:6
用磁性测量、透射电镜、Kerr磁光效应观测和分析了Sm(CoCuFeZr)7.4合金经固溶处理后,等级时效处理后的磁性、显微组织结构和畴结构。研究了该合金在600℃~1050℃温度范围内恒温时效过程中矫顽力和显微结构的变化,某些样品磁性能达到:Br≥11.5KGs,BHc≥5.4KQe,(B.H)m≥30.5MGsQe合金在高矫顽力状态下的显微组织为胞状。等级时效过程中第一级时效(830℃3分)就形成了胞状组织,在随后降低温度的时效过程中,虽然矫顽力由2.8KOe提高到5.3KOe,但显微组织结构基本保持不变,矫顽力的提高与两相成份差增加有关。在800℃长时间恒温时效,胞状组织要破坏,第二相变成片状,在650℃以下时效600分钟,bHc随时效时间线性地变化,并且矫顽力的变化很小,680℃以上恒温时效矫顽力达到峰值后的降低可能与胞状结构的破坏有关。随时效温度的升高,出现矫顽力峰值的时间缩短。时效过程的扩散激活能为34000卡/克原子度。1050℃没有时效效应
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
文档格式:PDF 文档大小:773.26KB 文档页数:7
以赤泥、煤矸石等工业固废为主要原料制备赤泥基似膏体充填材料,采用X射线衍射分析、傅氏转换红外线光谱分析、热重-示差扫描量热分析和扫描电子显微镜-能谱分析等测试手段研究赤泥基似膏体充填材料的水化特性.结果表明,本试验条件下,赤泥基似膏体充填材料的最优配比为编号E03试验,即胶结料:赤泥:煤矸石:添加剂质量比为1:16:5:11,固相的质量分数为70%,28 d单轴抗压强度为5.49 MPa.赤泥基似膏体充填材料不同龄期的水化产物主要为斜方钙沸石(CaAl2Si2O8·4H2O)和钙矾石(AFt),随着水化反应的进行,水化产物的数量明显增多,且钙矾石由水化初期的针状逐渐转变为棒状,有助于充填体强度的发展
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
文档格式:PPT 文档大小:1.98MB 文档页数:102
§4.1 电离过程 §4.2 单分子分解反应理论 §4.3 离子裂解基本类型 §4.4 常见各类化合物的质谱物征 §4.5 分子结构推导 §4.6 解析举例
首页上页542543544545546547548549下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 6502 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有