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西安交通大学:《MATLAB程序设计》课程教学资源(讲义)第9章 数据分析
文档格式:DOC 文档大小:51.5KB 文档页数:9
由于 MATLAB面向矩阵,所以它很容易对数据集合进行统计分析。按规定,数据集存 储在面向列的矩阵里。也就是,一个矩阵的每一列代表不同的被测变量,每一行代表各个样 本或观察值。例如,让我们假定,一个月31天的三城市每日高温(单位为C)被记录,并赋 给脚本M文件中 temps的变量,在精通 MATLAB工具箱里取名为 mmtemp运行M文 件,把变量 temps放在 MATLAB工作空间里
西安交通大学:《MATLAB程序设计》课程教学资源(讲义)第7章 决策:控制流
文档格式:DOC 文档大小:38.5KB 文档页数:8
计算机编程语言和可编程计算器提供许多功能,它允许你根据决策结构控制命令执行流 程。如果你以前已经使用过这些功能,对此就会很熟悉。相反,如果不熟悉控制流,本章材 料初看起来或许复杂些。如果这样,就慢慢来。 控制流极其重要,因为它使过去的计算影响将来的运算。 MATLAB提供三种决策或控 制流结构。它们是:For循环, While循环和 If-Else--end结构由于这些结构经常包含大量 的 MATLAB命令,故经常出现在M文件中,而不是直接加在 MATLAB提示符下
西安交通大学:《MATLAB程序设计》课程教学资源(讲义)第5章 关系和逻辑运算
文档格式:DOC 文档大小:29.5KB 文档页数:8
除了传统的数学运算, MATLAB支持关系和逻辑运算。如果你已经有了一些编程经验, 就会对这些运算熟悉。这些操作符和函数的目的是提供求解真/假命题的答案。一个重要的应用是控制基于真/假命题的一系列 MATLAB命令(通常在M文件中)的流程,或执行次序
西安交通大学:《MATLAB程序设计》课程教学资源(讲义)第22章 可变精度算术运算
文档格式:DOC 文档大小:194.5KB 文档页数:17
因为数值的精度受每次操作所保留的数位的限制,所以数值的任何运算都会引入舍入误 差,重复的多次数值运算会造成累积误差。而对符号表达式的运算是非常准确的,因为它们不 需要进行数值运算,所以无舍入误差
西安交通大学:《MATLAB程序设计》课程教学资源(讲义)第21章(21-9)对话框和请求程序
文档格式:DOC 文档大小:72.5KB 文档页数:13
MATLAB具有建立对话框和请求的几个有用工具。对话框是弹出显示的单独窗口,它 显示信息字符串。对话框含有一个或多个按钮键以供用户输入。请求框是在弹出显示的单独窗 口,利用鼠标或键盘获得输入,并返回信息给调用函数
西安交通大学:《信号与系统 Signals and Systems》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 信号与系统的时域和频域特性
文档格式:PPT 文档大小:30.61MB 文档页数:90
1.傅立叶变换的模与相位。 2.LTI系统的幅频特性与相频特性,系统的失真。 3.系统的不失真传输条件。 4.理想滤波器的频域、时域特性及其不可实现性。 5.非理想滤波器的特性及其逼近方式。 6.一阶与二阶系统的分析方法,Bode图
西安交通大学:《复变函数》课程PPT教学课件(第四版)第二讲 复变函数与解析函数
文档格式:PPT 文档大小:490KB 文档页数:35
1. 复变函数的定义 2. 映射的概念 3. 反函数或逆映射 §5 复变函数 1. 函数的极限 2. 运算性质 3.函数的连续性 §6 复变函数的极限与连续性 1. 复变函数的导数定义 2. 解析函数的概念 §2.1 解析函数的概念
西安交通大学:《复变函数》课程PPT教学课件(第四版)第五讲 原函数与不定积分Cauchy积分公式解析函数的高阶导数
文档格式:PPT 文档大小:312KB 文档页数:30
1. 原函数与不定积分的概念 2. 积分计算公式 §3.4 原函数与不定积分 §3.5 Cauchy积分公式 §6 解析函数的高阶导数
西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十一章 掺杂
文档格式:PPT 文档大小:2.67MB 文档页数:62
1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用; 2. 讨论杂质扩散的原理和过程; 3. 对离子注入有一个总体认识,包括它的优缺点; 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性; 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统; 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应; 7. 描述离子注入的各种应用
西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十章 高级光刻工艺(ULSI/VLSI IC图形处理过程中存在地问题)
文档格式:PPT 文档大小:927KB 文档页数:16
对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
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