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西安科技大学:《自动控制原理》课程教学资源(PPT课件)第八章 线性离散系统的分析与综合
文档格式:PPT 文档大小:560.5KB 文档页数:61
1.定义:数字控制系统是一种以数字计算机为控制器去控制具有连续工作状态的被控对象的闭环控制系统
用于电厂生活污水深度处理的不同臭氧化工艺
文档格式:PDF 文档大小:559.08KB 文档页数:4
以河北西柏坡电厂生活污水处理厂二级出水为原水,考察了不同臭氧化工艺对该厂二级出水中微量有机物的处理效果.静态实验和动态实验的结果均表明,紫外线、活性炭协同催化臭氧化技术(即OUC技术)可显著提高二级出水中难降解有机物的氧化降解,并可显著提高臭氧利用率
添加钇对TiAl合金组织和性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:415.23KB 文档页数:5
设计并熔炼了成分为(Ti50Al50)100-xYx(x(atom)=0~2.0%)的合金,用金相显微镜、扫描电镜、三点弯曲试验等手段,研究了添加钇(Y)对TiAl合金显微组织和力学性能的影响。结果表明:钇的添加能改变TiAl合金显微组织,使γTiAl合金晶粒细化,促进γ+α2片层状组织的形成。适量钇的添加能降低TiAl合金中O、N等间隙原子含量并增加TiAl合金的室温抗弯强度和塑性;当钇的添加量超过其在TiAl合金中的固溶度时,将形成新的Ti-Al-Y三元化合物,反而会降低TiAl合金的室温强度和塑性
新型精炼合成渣的高效脱硫研究
文档格式:PDF 文档大小:393.15KB 文档页数:4
本文开发了一种预熔型精炼合成渣,具有高碱度低熔点的特性,实验室条件下,平均脱硫率为84.5%.在工业实验中,根据钢种出钢要求,设计了分钢种的加料方案.实验结果表明,本精炼渣可以达到100%出钢化渣率,精炼时间缩短了11min.与原工业渣系相比,使用本精炼渣后,VD前钢中氧和氮含量分别降低了7×10-6和12×10-6,VD后钢中氧和氮含量分别降低了5×10-6和15×10-6.脱硫率也得到了大幅提高,从电炉出钢至VD后吊包的脱硫率为92%,最低硫含量达到30×10-6
异型纳米AlOOH微观晶体结构
文档格式:PDF 文档大小:2.01MB 文档页数:6
利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在
《北京科技大学学报》:钛等离子渗氧研究(北京科技大学、太原理工大学)
文档格式:PDF 文档大小:1.17MB 文档页数:3
为了提高钛表面硬度和耐磨性,采用辉光放电等离子渗氧技术对钛进行表面处理.结果表明,渗氧层厚度与氧分压、温度和时间呈明显的对应关系.特别是,在空心阴极辉光放电条件下,离子轰击会加强氧的离子化,促进渗氧,有助于低价态氧化物的形成.在表层所形成的TiO其硬度达到或接近TiN的硬度水平.
含磷高强IF钢中FeTiP相的脱溶及硬化现象
文档格式:PDF 文档大小:545.34KB 文档页数:4
分析含磷高强IF钢中FeTiP相的脱溶行为及对硬度的影响,发现含磷IF钢的时效硬化现象.实验表明,550℃时效时硬化效果比较明显.电镜和能谱分析表明大量细小的FeTiP相脱溶是产生硬化现象的重要原因.750℃时效时,FeTiP相中Fe:Ti:P(原子比)并不严格地符合1:1:1的比例,且在晶界及晶内均有析出.在超低碳高纯净微合金钢中,如FeTiP相等非碳氮化合物导致的硬化现象值得引起重视
插层沥青基碳纤维的电学性能与结构
文档格式:PDF 文档大小:418.34KB 文档页数:5
采用熔盐法,在CuCl2-KCl系中得得较高电导率的插层沥青基碳纤维.与原始状态相比,插层后的沥青碳纤维x射线衍射图谱上的(002)及(10)衍射线的宽度变小,衍射宽度变小的机制是由于石墨层间化合物的形成,使沥青基碳纤维电导率增加
红外光谱法与X射线衍射法分析介孔复合材料组分变化机理
文档格式:PDF 文档大小:451.58KB 文档页数:5
分析了介孔复合材料的原材料、中间产品及最终产品的傅里叶变换红外光谱图和X射线衍射图,得出材料制备过程中有机及无机组分定性及定量变化.结合透射电镜观测结果提出了介孔复合材料制备过程中组分变化机理,从作用力和热力学角度分析了有机离子载入反应的驱动力种类及作用机制
氯化汞触媒的汞挥发速率
文档格式:PDF 文档大小:266.65KB 文档页数:4
采用通量箱、比表面积分析仪、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪测试了电石法聚氯乙烯(PVC)行业中高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率、比表面积、成分及汞形态.研究表明:高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率分别为1.04×10-7、5.90×10-8和2.47×10-4mg·g-1·min-1.高汞触媒使用后氯化汞被还原为单质汞,且汞吸附于触媒表面,导致废高汞触媒汞挥发速率远高于新汞触媒
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