1 PREAMBLE 2 THE CONTEXT FOR DESIGN 3 ARRIVING AT THE DIAGRAM RESPONDING TO THE SITE CHOOSING AN APPROPRIATE ‘MODEL’ ORGANISING THE PLAN 4 CHOOSING APPROPRIATE TECHNOLOGIES STRUCTURE SERVICES HOW WILL IT STAND UP? HOW IS IT MADE? WILL IT BE COMFORTABLE? WILL IT BE GREEN? 5 HOW WILL IT LOOK? EXPRESSION V SUPPRESSION ROOF OPENINGS ELEVATIONS WALL MEMBRANES THE CORNER SCALE 6 THE SPACES AROUND CENTRIFUGAL AND CENTRIPETAL SPACE URBAN SPACE TYPOLOGY 7 POSTSCRIPT: A WORKING METHOD TRADITION V THE VIRTUAL BUILDING FURTHER READING

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

将钢渣作为陶瓷的烧制原料之一,设计了CaO-MgO-SiO2体系陶瓷烧制配方,并成功地制备出性能稳定良好的陶瓷材料样品.样品的抗弯强度最大可达99.84 MPa.利用扫描电镜、电子探针微区分析仪和X射线衍射仪等对钢渣陶瓷制品进行了分析.结果发现:对于CaO-MgO-SiO2体系,当钢渣加入量(质量分数)为40%时,主晶相为透辉石-铁透辉石固溶体;当钢渣加入量大于65%时,主晶相为镁黄长石和透辉石.研究表明,采用钢渣制备陶瓷材料是一种很有潜力的钢渣高附加值利用技术

通过对Ti-46Al-8Nb-2Mn-0.2B合金的铸态组织和经过α+γ双相区热处理后的组织进行光学和扫描电镜进行观察,发现原始铸态组织的γ相偏析处不是片层的晶界,而是片层穿越的区域.由于γ相偏析区域的Al含量比片层基体高,因此阻碍了后续回火过程中该偏析部位片层的分解.通过先得到近γ组织,然后经过α+γ双相区保温,最终得到晶粒为40μm的双态组织;但组织中有少量的β相没有得到消除

用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验发现，以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段．实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征，并对有关现象进行了初步讨论．

以典型粉末高温合金P/M Rene95为研究对象,在扫描电镜原位下观察了其中尺寸不同的陶瓷夹杂物在拉伸载荷下导致裂纹萌生的过程.结果表明,在SEM原位拉伸试验中,随着载荷的增加,裂纹在陶瓷夹杂物处萌生.Al2O3夹杂物的尺寸不同,导致裂纹萌生的方式不同.小尺寸的夹杂物引起的裂纹萌生易于产生在夹杂物内部,即夹杂物本身开裂,产生裂纹是在基体大面积屈服之后;而大夹杂物处的裂纹则是在合金基体未屈服之前萌生,位于夹杂/基体的界面

第1节 二维随机向量及其分布函数 第2节 二维离散型随机向量 第3节 二维连续型随机向量

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1.31×104 cm2/（V·s）提高到4.47×104 cm2/（V·s）（热蒸镀）和2.15×103 cm2/（V·s）提高到2.04×104 cm2/（V·s）（磁控溅射）

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜测得薄膜晶粒尺寸为30nm左右,扫描电镜观察了薄膜的表面形貌.分析了这两种方法制得的纳米TiO2薄膜所组成的染料敏化太阳电池的性能,提出了一种新的制作纳米TiO2薄膜的方法

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值