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第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法
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2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口
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2.1 LTI连续系统的响应 一、微分方程的经典解 二、关于0-和0+初始值 三、零输入响应和零状态响应 2.2 冲激响应和阶跃响应 一、冲激响应 二、阶跃响应 2.3 卷积积分 一、信号时域分解与卷积 二、卷积的图解 2.4 卷积积分的性质 一、卷积代数 二、奇异函数的卷积特性 三、卷积的微积分性质 四、卷积的时移特性
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关于题型(一) 直接题型 是指直接从教材中摘录某句(段)话作为 选择题的题干,属于比较容易得分的题。 例如: 焊接钢筋网应采用的焊接方法是( )。 A.闪光对焊 B.电阻点焊 C.电弧焊 D.电渣压力焊 答案:B
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⒈从二极管伏安特性曲线导通后的部分找出一点,根据实验中所用的电 表,试分析若电流表内接,产生的系统误差有多大?如何对测量结果进行 修正?
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7.1 z 变换 一、从拉普拉斯变换到z变换 二、收敛域 7.2 z 变换的性质 7.3 逆z变换 7.4 z 域分析 一、差分方程的变换解 二、系统的z域框图 三、s域与z域的关系 四、系统的频率响应
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1、条件电极电位及相关计算 2、氧化还原滴定法的原理 3、常见的几种氧化还原滴定方法,特别是碘量法
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根据光谱实验和量子力学计算,已十分清楚 (一)基态原子的电子构型/分布规律/原则 第一,多电子原子中不同n、原子轨道的能级高低不同 (这里不包含量子数m和m,因一般没有磁场) 我国科学家徐光宪教授首先总结出:
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用扫描开尔文探针(SKP)和局部电化学交流阻抗(LEIS)技术,研究了2A12铝合金在盐雾腐蚀实验早期阶段的腐蚀行为和电化学过程.结果表明,盐雾实验初期,铝合金表面出现点蚀坑,Cl-对铝合金腐蚀有显著的加速作用,随盐雾时间延长,点蚀扩展.扫描开尔文探针的测试结果显示,在盐雾腐蚀过程的初期,金属表面阴极区和阳极区不断发生变化,呈现局部腐蚀的特征.随着盐雾时间的延长,试样表面电位逐步正移,并出现明显的阴极区和阳极区.局部电化学交流阻抗的测试结果表明,试样表面的局部电化学阻抗随盐雾时间的延长而有所增加,但分布较为分散.这说明在腐蚀过程的初期,2A12铝合金表面不断生成腐蚀产物,对腐蚀反应产生阻碍作用
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一、 场的概念、标量场和矢量场 1。数学上引入场的概念,用于描述物理量在 空间的分布和变化规律。如果空间的每一点 都对应着某个物理量的确定值,就说在着空 间里确定了该物理量的场。 若该物理量是数量(标量)——标量场,如 温度场、密度场、电位场;若是矢量,这个 场为矢量场,如力场、速度场、电场、磁场、 引力场等
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