基因变异致病类型 内源基因的变异 基因结构突变 基因表达异常 外源基因的入侵

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

一、是否题 1.在一定温度和压力下的理想溶液的组分逸度与其摩尔分数成正比。 (对。即=x,f=f(T,P)=常数) 2.理想气体混合物就是一种理想溶液。 (对) 3.对于理想溶液,所有的混合过程性质变化均为零。 (错。V,H,U,Cp,C的混合过程性质变化等于零,对S,G,A则不等于零 4.对于理想溶液所有的超额性质均为零。 (对。因M=M-M)

第一节 成本性态分析 第二节 变动成本计算

1.凡是体系的温度升高时,就一定吸热,而温度不变时,则体系既不吸热也不放热。 答:错。等温等压的相变化或化学变化始、终态温度不变,但有热效应。气体的绝热压缩,体系温度升高,但无吸收热量。 2.当n摩尔气体反抗一定的压力做绝热膨胀时,其内能总是减少的。 答:对。绝热:Q=0;反抗外压作功:W<0△U=Q+W=W<0。 3.封闭体系中有两个相a,B。在尚未达到平衡时,a,B两个相都是均相敞开体系;达到平衡 时,则a,B两个相都等价于均相封闭体系。 答:对

一、遗传(heredity) 二、遗传型(genotype) 三、表型(phenotype) 四、变异(variation) 五、饰变(modification)

第一节 产品市场的均衡：IS曲线 一、投资的决定 二、IS曲线及其推导 三、IS曲线的变动 第二节 货币市场的均衡：LM曲线 一、利率的决定 二、LM曲线及其推导 三、LM曲线的移动 第三节 两个市场的同时均衡：IS-LM模型 一、两个市场同时均衡时国民收入的决定 二、均衡国民收入的变动 三、IS-LM模型的应用

利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量、 振动等转换成线圈自感量L或互感量M的变化,再由测量电 路转换为电压或电流的变化量输出,这种装置称为电感式传感器。电感式传感器具有结构简单,工作可靠,测量精度高,零点稳定,输出功率较大等一系列优点。其主要缺点 是灵敏度、线性度和测量范围相互制约,传感器自身频率响应低,不适用于快速动态测量。这种传感器能实现信息 的远距离传输、记录、显示和控制,在工业自动控制系统中被广泛采用

1. 概述 2. 函数定义的一般形式 3. 函数参数和函数的值 4. 函数的调用 5. 函数的嵌套调用 6. 函数的递归调用 7. 数组作为函数的参数 8. 局部变量和全局变量 9. 变量的存储类别 10.内部函数与外部函数 11.运行一个多文件的程序

1. C的数据类型 2. 常量和变量 3. 整型、实型、字符型数据 4. 变量赋初值 5. 各类数值型数据间的混合运算 6. 算术运算符和算术表达式 7. 赋值运算符和赋值表达式 8. 逗号运算符和逗号表达式