第一章 矢量分析 梯度、散度、旋度、亥姆霍兹定理 第二章 静电场 电场强度、电位、介质极化、场方程、边界条件、能量与力 第三章 静电场的边值问题 电位微分方程，镜像法，分离变量法。 第四章 恒定电流场 电流，电动势，电流连续性原理，能量损耗 第五章 恒定磁场 磁通密度，场方程，边界条件 第六章 电磁感应 电磁感应定律，自感与互感，磁场能量与力。 第七章 时变电磁场 位移电流，麦克斯韦方程，边界条件，位函数，能流密度矢量，正弦电磁场，复能流密度矢量。 第八章 平面电磁波 理想介质中的平面波，平面波极化特性，平面边界上的正投射，任意方向传播的平面波的表示，平面边界上的斜投射，各向异性媒质中的平面波

一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 ()2.多位数加法器可利用半加器通过位数扩展得到。 ()3.下图电路中,图(a)和图(b)的逻辑功能相同

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

一、湿度的定义及表示方法 二、微量水分仪的类型和作用 三、电解式微量水分仪 四、电容式微量水分仪 五、晶体振荡式微量水分仪 六、半导体激光式微量水分仪 七、光纤式近红外微量水分仪 八、微量水分仪的校准

本章讨论另一命题，即如何根据系统预先给定的性能指标，去设计一个能满足性能要求的控制系统。基于一个控制系统可视为由控制器和被控对象两大部分组成，当被控对象确定后，对系统的设计实际上归结为对控制器的设计，这项工作称为对控制系统的校正

1.1 引言 1.2 自动控制系统示例 1.3 闭环控制和开环控制 1.4 自动控制系统的分类 1.5 对自动控制系统的基本要求 对本课程的基本要求

1.1 引言 1.2 自动控制系统示例 1.3 闭环控制和开环控制 1.4 自动控制系统的分类 1.5 对自动控制系统的基本要求 对本课程的基本要求

5.1 频率特性及其表示法 5.2 典型环节对数频率特性曲线的绘制 5.3 典型环节的幅相曲线的绘制 5.4 稳定裕度和判据 5.3 极坐标图(Polar plot)，幅相频率特性曲线，奈奎斯特曲线 5.3.1 积分与微分因子 5.3.2 一阶因子 5.3.3 二阶因子 5.3.4 传递延迟

废阴极炭块是铝电解槽大修时产生的一种危险固体废弃物，对其进行安全处置和资源化利用的关键是深度分离其中的有价组分炭和氟化盐.采用火法工艺对废阴极炭块进行处理，明确了氟化盐的挥发温度.基于氟化盐的挥发析出性质，设计了高温热处理电阻炉，并对其传热特性、控温规律以及氟化盐有效挥发区域进行了三维数值解析