5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

西安电子科技大学：《光电探测技术与系统》课程电子教案（PPT课件讲稿）第06章 光电成像探测传感器 §6.1 光电成像器件的发展与分类 §6.2 光电成像系统的一般结构 光学系统、扫描器、探测器和致冷器、图像处理及分析

§6.5.1 视像管 §6.5.3 光电发射式摄像管 §6.5.4 微光像增强器 §6.5.5 微光摄像CCD器件 §6.5.2 硅靶摄像管

§9.1 在生活中的应用 衣、食、住、行 §9.2 在安全及军事方面的应用 安全方面的应用， 军事方面的应用 §9.3 在工业方面的应用 光束检测，红外成像检测， 激光检测 §9.4 在农业方面的应用 §9.5 光电探测与诺贝尔科学奖

§3.1 基本光学关系式 §3.2 光路中的光现象 §3.3 光学元件 §3.4 光调制和光束扫描 §3.5 大气调光——光在大气中的传播与衰减 §3.6 光路设计软件简介

§2.1 电磁波与光辐射 §2.2 光辐射的度量 §2.3 黑体辐射 §2.4 光源 §2.5 光源调制与旋光效应调制器

1.1 电子测量的意义和特点 1.2 电子测量分类 1.3 计量的基本概念 1.4 测量误差 1.5 电子测量仪器概述 1.6 电子测量仪器的正确使用

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验，借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分，但强度很弱，高斯晶粒偏离角在10o以上；900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒；950~1000℃时高斯晶粒异常长大，偏离角3o~6o；在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势

运用电子背散射花样技术(EBSP)对本钢深冲板St15再结晶退火过程中的织构演变规律进行了研究.当加热速率为30℃/h时,深冲板St15再结晶开始温度在560℃左右,再结晶完成时间约为2h,最强织构组分为{100}.随着温度的升高,深冲板St15的γ纤维织构,尤其是{111}织构有所增强.当保温温度为700℃,随保温时间延长,深冲板St15的{111}织构明显增强,4h后{111}织构开始逐渐增强,到13h时,获得理想的退火织构

第一章流体力学的基本知识 第二章涡轮增压器的构造及其发展 第三章离心式压气机 第四章轴流式涡轮 第五章径流式涡轮机