运用高频信号注入法估计永磁同步电机转子位置要求给电机同时施加基本电压和高频电压.本文讨论了通过采用PWM调节的逆变器同时注入这两种电压的可行性,并进行了仿真研究.结果表明,只要选择合适的调制信号和载波比就能够实现电压的叠加输入.同时,对逆变器的非线性行为所带来的影响也作了深入的探讨,证明其仅在电流流过零处对输出结果产生影响.根据这一特点,提出了相对比较简单的补偿措施,仿真结果证明了这一措施的正确性

有衬电渣炉炼制的钢水进行离心浇注的过程中,选定CaO-SiO2-CaF2-Na2O-Al2O3-MgO渣系,按给定渣系成分的熔渣进行带渣离心浇注试验.试验结果表明:新渣系未对浇注钢水产生任何污染,形成的渣皮非常均匀,厚度仅在1~2mm之间,有效地防止了表面裂纹和气孔的产生

在扫描电镜下对CL60车轮钢单边缺口薄试样(厚度 ≤ 0.5mm)进行了原位拉伸实验,并研究了氢的影响.在金相显微镜下观察了带预裂纹的厚度为30mm的楔形张开加载试样开裂过程.结果表明,对薄试样拉伸变形时,不论是否有氢,先共析铁素体优先发生塑性变形,微裂纹沿先共析铁素体与珠光体团的边界形核、扩展;在有氢的情况下,微裂纹更容易通过夹杂物的剥落或夹杂物与基体界面的分离而萌生;薄试样拉伸主要是韧窝断口;对厚试样,裂纹主要通过珠光体中渗碳体片层开裂而扩展,断口也因此主要呈解理特征

为了提高空穴传输材料TPD（三苯基二胺衍生物）的热稳定性和器件的寿命，用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚，将TPD结构单元引入到聚合物的主链，得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物．研究发现，所有聚合物的热稳定性均高于TPD，能带结构几乎没有发生改变，有的聚合物既能传输空穴，又能传输电子．考察了单层器件的发光性能．结果显示，器件最大亮度在17V时约为36cd·m-2，最大发射为460nm．

对高炉上部中、低温区和下部高温区取砖样,应用热力学计算、扫描电镜和能谱分析等方法,从热力学和微观机理两方面研究了高炉衬砖侵蚀机理.结果表明:K对碳砖的侵蚀具有穿透力,Na则没有;K是通过K蒸气穿透到砖中,而Na是通过气体带着Na的化合物渗透到砖缝中.在高温区Zn对砖的侵蚀作用很小,中、低温区Zn对砖的侵蚀影响最大

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验发现，以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段．实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征，并对有关现象进行了初步讨论．

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零

6.1引言 定义:存储器是带有存取电路的储存二进信息单元的集合。在计算机中的很多部分广泛应用。 两种主要类型:RAM,ROM RAM(Random memory):随机存储器暂存数据。例:用于处理器内外部的快速 CACHE

第14章C++对C的扩充 14.1C++的特点 14.2最简单的C++程序 14.3C++的输入输出 14.4函数的重载 14.5带缺省参数的函数 14.6变量的引用类型5 14.7内置函数 14.8作用域运算符 14.9动态分配/撤销内存的运算符new和 delete 14.10小结