网站首页
校园空间
教师库
在线阅读
知识问答
大学课件
高等教育资讯网
大学课件分类
:
基础课件
工程课件
经管课件
农业课件
医药课件
人文课件
其他课件
课件(包)
文库资源
点击切换搜索课件
文库搜索结果(872)
基于高频信号注入的永磁电机转子位置估计方法中的电压输入
文档格式:PDF 文档大小:824.71KB 文档页数:5
运用高频信号注入法估计永磁同步电机转子位置要求给电机同时施加基本电压和高频电压.本文讨论了通过采用PWM调节的逆变器同时注入这两种电压的可行性,并进行了仿真研究.结果表明,只要选择合适的调制信号和载波比就能够实现电压的叠加输入.同时,对逆变器的非线性行为所带来的影响也作了深入的探讨,证明其仅在电流流过零处对输出结果产生影响.根据这一特点,提出了相对比较简单的补偿措施,仿真结果证明了这一措施的正确性
电渣重熔钢水离心浇铸用熔渣
文档格式:PDF 文档大小:398.46KB 文档页数:5
有衬电渣炉炼制的钢水进行离心浇注的过程中,选定CaO-SiO2-CaF2-Na2O-Al2O3-MgO渣系,按给定渣系成分的熔渣进行带渣离心浇注试验.试验结果表明:新渣系未对浇注钢水产生任何污染,形成的渣皮非常均匀,厚度仅在1~2mm之间,有效地防止了表面裂纹和气孔的产生
车轮钢形变断裂过程的原位研究及氢影响
文档格式:PDF 文档大小:2.18MB 文档页数:6
在扫描电镜下对CL60车轮钢单边缺口薄试样(厚度 ≤ 0.5mm)进行了原位拉伸实验,并研究了氢的影响.在金相显微镜下观察了带预裂纹的厚度为30mm的楔形张开加载试样开裂过程.结果表明,对薄试样拉伸变形时,不论是否有氢,先共析铁素体优先发生塑性变形,微裂纹沿先共析铁素体与珠光体团的边界形核、扩展;在有氢的情况下,微裂纹更容易通过夹杂物的剥落或夹杂物与基体界面的分离而萌生;薄试样拉伸主要是韧窝断口;对厚试样,裂纹主要通过珠光体中渗碳体片层开裂而扩展,断口也因此主要呈解理特征
聚TPD电荷传输材料的制备与单层器件的电致发光
文档格式:PDF 文档大小:516.09KB 文档页数:4
为了提高空穴传输材料TPD(三苯基二胺衍生物)的热稳定性和器件的寿命,用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚,将TPD结构单元引入到聚合物的主链,得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物.研究发现,所有聚合物的热稳定性均高于TPD,能带结构几乎没有发生改变,有的聚合物既能传输空穴,又能传输电子.考察了单层器件的发光性能.结果显示,器件最大亮度在17V时约为36cd·m-2,最大发射为460nm.
高炉炉衬侵蚀微观机理
文档格式:PDF 文档大小:2.04MB 文档页数:6
对高炉上部中、低温区和下部高温区取砖样,应用热力学计算、扫描电镜和能谱分析等方法,从热力学和微观机理两方面研究了高炉衬砖侵蚀机理.结果表明:K对碳砖的侵蚀具有穿透力,Na则没有;K是通过K蒸气穿透到砖中,而Na是通过气体带着Na的化合物渗透到砖缝中.在高温区Zn对砖的侵蚀作用很小,中、低温区Zn对砖的侵蚀影响最大
用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱
文档格式:PDF 文档大小:462.68KB 文档页数:5
对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的
冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚实验观察
文档格式:PDF 文档大小:1.3MB 文档页数:5
用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程.实验发现,以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中,硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段.实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征,并对有关现象进行了初步讨论.
《模拟电子技术》课程教学资源(自测题)第一章 常用半导体器件(自测题,含答案)
文档格式:DOC 文档大小:3.6MB 文档页数:16
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零
清华大学电子系:《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义(数字电子技术基础)第六章 存储器和可编程器件
文档格式:DOC 文档大小:1.85MB 文档页数:20
6.1引言 定义:存储器是带有存取电路的储存二进信息单元的集合。在计算机中的很多部分广泛应用。 两种主要类型:RAM,ROM RAM(Random memory):随机存储器暂存数据。例:用于处理器内外部的快速 CACHE
清华大学:《C语言程序设计》课程电子教案(PPT教学课件,第二版)第十四章 C+对C的扩充
文档格式:PPT 文档大小:153.5KB 文档页数:54
第14章C++对C的扩充 14.1C++的特点 14.2最简单的C++程序 14.3C++的输入输出 14.4函数的重载 14.5带缺省参数的函数 14.6变量的引用类型5 14.7内置函数 14.8作用域运算符 14.9动态分配/撤销内存的运算符new和 delete 14.10小结
首页
上页
54
55
56
57
58
59
60
61
下页
末页
热门关键字
SDH原理]
SAS软件分析
Windows网络管理
WEB设计
X射线衍射分析技术
VC+图形界面设计
VB语言设计
SQLServer安全
SAS软件管理系统
WRITING
Web前端
VC网络编程
VC程序设计
VB程学设计
VB程序设计语言
SQL注入与防御
SQL数据库设计
SQL数据库
SDH原理与技术
SAS统计分析
PROE设计
cpu设计
VB应用]
VB数据库应用
VB数据库
VB基础
VB程序设计教程
VB编程
UNIX分析
TECHNOLOGY
SPSS与数据统计分析
SPSS统计软件应用
SAS
PLC原理]
MasterCAM应用
GIS设计
Laplace变换
F
CET考试
C++
搜索一下,找到相关课件或文库资源
872
个
©2008-现在 cucdc.com
高等教育资讯网 版权所有