2.1 数据通信基础  2.1.1 数据通信的理论基础  2.1.2 有导向的传输介质  2.1.3 无线通信 2.2 公共电话交换网 • 2.2.1 电话系统结构 • 2.2.2 本地环路 • 2.2.3 中继线 • 2.2.4 交换

1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定

§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

欧盟议会和欧盟理事会, 注意到建立欧洲共同体的公约,特别是其中第175(1)条, 注意到欧盟委员会的提案, 注意到欧盟经济社会委员会的意见, 注意到欧盟地区委员会的意见

1.反馈电路类型判断方法 2.负反馈对放大器性能的影响 3.深度负反馈电路放大倍数近似估算 4.自激条件

4.1 概述 4.2 组合逻辑电路的分析与设计 4.3 常用组合逻辑电路 4.4 用PLD实现组合电路 4.5 组合逻辑电路的竞争与冒险

1、现代通信网的基本概念及构成，主要包括：通信网的基本模型，通信网的定义和构成，通信网的类型，通信网的物理拓扑结构，通信网的业务，通信系统与通信网。 2、通信网的交换技术，包括：电路交换、分组交换、帧中继。 3、ATM通信网的体系结构，主要包括：OSI参考模型，TCP/IP协议体系结构。 4、通信网的发展史。 5、主要网络简介，包括：电话网，数据网，接入网，综合业务数字网（ISDN）

2.1 信令系统概述 2.2 7号信令系统简介 2.3 7号信令网 2.4 7号信令的功能结构 2.5 信号单元的类型和格式 2.6 电话用户部分

13.1 概述 13.2 电路交换方式 13.3 报文交换方式 13.4 分组交换方式 13.5 帧中继 13.6 ATM 13.7 几种交换方式的比较

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战