2.1 TMS320C54x的特点和硬件组成框图 2.2 TMS320C54x的总线结构 2.3 TMS320C54x的存储器分配 2.4 中央处理单元（CPU） 2.5 TMS320C54x片内外设简介 2.6 硬件复位操作 2.7 TMS320VC5402引脚及说明

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

6.1 CCS系统安装与设置 6.2 CCS菜单和工具栏 6.3 CCS中的编译器、汇编器和链接器选项设置 6.4 用CCS开发简单的程序 6.5 在CCS中读取数据和数据的图形显示 6.6 代码执行时间分析（Profiler的使用）

1､约束项､任意项和无关项 （1）约束项 例如：有三个逻辑变量A､B､C，它们分别表示一台电动机正转､反转和停止的命令

一、只有奇次分量；直流、偶次正弦分量为零 二、随谐波数增加幅值减小，相位恒等于－90°

线性系统理论研究对象是由物理系统中抽象 出的线性模型系统。通常可用框图来形象地表示 一个系统： 它既有输入信号（例如电压），也有输出信号 （例如位移）。 从这个框图已经可以看出：一个系统在激励 下的响应事实上完全是由系统自身的结构确定 的。因此，对系统的描述就成为一切控制系统分 析和综合的出发点

研究了工艺因素对电渣感应连续走向凝固过程稳定性的影响.结果指出,固液界面位置是衡量其稳定性的一个重要指标,工艺因素通过它对稳定性产生影响,正锥度的结晶器型腔以及结晶器壁内的温度分布与温度梯度是下拉法连续定向凝固稳定进行的关键

用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷.用X射线(XRD)、扫描电镜(SEW)和透射电镜(TEM)技术,研究陶瓷的微观结构.结果表明:湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷;陶瓷在850~920 ℃烧结,晶粒大小为150~200nm,细小焦绿石相出现并分布在晶界上;过量PbO相的形成有利于陶瓷的烧结

非特异性药物： 药理作用与结构类型关系较少。 药理作用主要来源于简单的理 化性质。 特异性药物： 药物小分子与生物大分子有效 结合，在立体空间上互补，电 荷分布上匹配，引起构象改变， 促发生化反应

◼ 串级控制系统 ◼ 串级控制系统概述 ◼ 串级控制系统的特点及应用 ◼ 主、副控制器控制规律的选择 ◼ 主、副控制器正反作用的选择 ◼ 控制器参数工程整定与系统投运 ◼ 其他复杂控制系统 ◼ 均匀控制系统 ◼ 比值控制系统 ◼ 前馈控制系统 ◼ 取代控制系统 ◼ 分程控制系统 ◼ 多冲量控制系统