一、焊接训练 二、数字电路设计与制作一般方法 三、三路抢答器的设计与制作 四、设计要求:1.电路仿真设计;2.在数字电子综合实验台上验证;3.焊接制作实际产品

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.1 电子测量的意义和特点 1.2 电子测量分类 1.3 计量的基本概念 1.4 测量误差 1.5 电子测量仪器概述 1.6 电子测量仪器的正确使用

问题的提出 1996年7月9日,北京市海淀区法院审理 国内第一起电子邮件侵权案。 此案的原、被告均系北京大学心理学系 93级女研究生。4月9日,原告薛燕戈收到美 国密执安大学发给她的电子邮件,内容是该 校将给她提供1.8万美元奖学金的就学机会, 此后久等正式通知却杳无音讯,4月27日查到 密执安大学在4月12日收到一封署名薛燕戈的 电子邮件,表示拒绝该校的邀请

4.8.1. PSD器件的工作原理 4.8.2. 一维PSD器件 4.8.3.二维PSD器件 4.8.4 光生伏特器件的偏置电路 4.8.5 零伏置电路

 1.1 热释电器件的基本工作原理 1.2 热释电器件的灵敏度  1.3 热释电器件的噪声  1.4 热释电器件的类型 1.5 典型热释电器件 1.6 热探测器概述

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验，借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分，但强度很弱，高斯晶粒偏离角在10o以上；900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒；950~1000℃时高斯晶粒异常长大，偏离角3o~6o；在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势

§2.1 电磁波与光辐射 §2.2 光辐射的度量 §2.3 黑体辐射 §2.4 光源 §2.5 光源调制与旋光效应调制器

§9.1 在生活中的应用 衣、食、住、行 §9.2 在安全及军事方面的应用 安全方面的应用， 军事方面的应用 §9.3 在工业方面的应用 光束检测，红外成像检测， 激光检测 §9.4 在农业方面的应用 §9.5 光电探测与诺贝尔科学奖

§6.5.1 视像管 §6.5.3 光电发射式摄像管 §6.5.4 微光像增强器 §6.5.5 微光摄像CCD器件 §6.5.2 硅靶摄像管