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第一章 可编程控制器的基本知识 第二章 松下电工可编程控制器 第三章 FP1的指令系统 第四章 PLC的编程及应用 第五章 FP1的特殊功能及高级模块 第六章 松下电工PLC编程工具及三维力控监控组态软件简介 第七章 监控组态软件与PLC应用总体设计
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重点:电气参数测定方法 难点:漏电抗、直轴同步电抗,交轴同步电抗
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重点:基本结构,铭牌与额定值,同步速,基本运行状态,电枢反应性质 难点:电枢反应
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重点:正方向惯例,磁化特性(工程化),机电能量转换系统 难点:磁化特性,电感参数和损耗
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重点:基本结构,励磁绕组连接方式,电枢反应,电动机与发电机运行状态 难点:电枢反应,状态转换,换向
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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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分级起动电阻的计算 设对应转速n1、n2、n3时电势分别为Ea1、Ea2、Ea3,则有:
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Voclin 1400 V Doc. No. 5SYA 1213-02 Aug 2000 Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Annular gate electrode Industry standard housing Cosmic radiation withstand rating Blocking
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1.两个电子自旋的合成 设S1和S2代表两个电子的自旋,它们的总自旋是S=S1+S2,对照角动量合成的一般规则,现在 =j2=1/2,所以总自旋的大小可以取值 S=1.0. 形象地说,当两个电子的自旋互相平行的时候S=1,而当两个电子的自旋反平行的时候S=0 我们还要解决总自旋的本征态如何用各电子的态矢量来表达的问题,换句话说,也就是要计算这个 时候的CG系数
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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
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