4．1 主存储器处于全机的中心地位 P105 4．2 主存储器的分类

第5章产业投资的技术可行性分析 第一节技术可行性分析的必要性 第二节制造技术的选择 第三节企业投资规模的选择 第四节企业投资地点的选择

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力，可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．三极管β值是反映（ ）能力的参数。 A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

1. 简要叙述试验数据的处理方法。 2. 分析对比试验数据的处理的三种方法。 3. 试对已知的一组试验数据进行回归分析。 4. 简述动态测试数据的分类

1. 什么是误差，相对误差和绝对误差如何定义。 2. 简要说明误差的来源。 3. 简要说明系统误差的分类，如何消除。 4. 简要说明随机误差的分布，如何消除

2-1.信号一般有哪几种分类方法？各分为哪几类？请简要说明。 2-2.请简述信号的几种描述方法。 2-3.写出周期信号两种展开式的数学表达式，并说明系数的物理意义