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1.两个电子自旋的合成 设S1和S2代表两个电子的自旋,它们的总自旋是S=S1+S2,对照角动量合成的一般规则,现在 =j2=1/2,所以总自旋的大小可以取值 S=1.0. 形象地说,当两个电子的自旋互相平行的时候S=1,而当两个电子的自旋反平行的时候S=0 我们还要解决总自旋的本征态如何用各电子的态矢量来表达的问题,换句话说,也就是要计算这个 时候的CG系数
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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
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一、电解 电解是利用外部电源使化学反应向非自发方向 进行的过程
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The IPMTS.OAT1/T3 Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients http:/lonsemi.com Excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The advanced packaging technique provides for a highly efficient micro miniature, space PLASTIC SURFACE MOUNT saving surface mount with its unique heat sink design. The
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High power diode laser ROFIN DI Series ROFIN DL X75 750 w ROFIN DL 010 000 W ROFIN DL 015 500 W ROFIN DL 020 2000 w ROFIN DL 025 2500 W ROFIN DL 030 3000 w ROFINI SINAR
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Local or remote control Microprocessor controlled RS-232/RS-485 CAN Complete diode laser control Affordably priced and monitoring solution Air or water cooling( specify)
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一、电磁现象 二、空载电流: (1)作用和组成 一方面:用来励磁,建立磁场-----无功分量二方面:供变压器空载损耗-------有功分量
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MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE
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Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Optimized for use as freewheeling diode in GTo converters Standard press-pack housing, hermetically cold-welded Cosmic radiation withstand rating
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1. 交流电机电枢绕组结构 • 三相对称、均匀分布 • 特殊的两相正弦分布 2. 交流电机电枢绕组产生的磁势 • 对称多相分布绕组流过对称交流电流 • 同心式分布或集中绕组流过直流电流 3. 交流电机绕组的气隙磁场 4. 交流电机绕组的感应电势 5. 谐波电势及其削弱或消除的方法
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