《电工学》答案 第1章 电路的基本概念与定律

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

4.1 组合逻辑电路的特点 4.2 组合逻辑函数的分析与设计 4.3 编码器 4.4 译码器 4.5 多路选择器 4.6 二进制并行加法器 4.7 数值比较器 4.8 奇偶校验器 4.9 利用中规模集成电路进行组合电路设计 4.10 组合电路的险象

一、光电信号检测电路 １.恒流源型光电检测器

一、机器振动信号的采集; 二、振动信号向电信号的转换; 三、电信号向电元件的传输 四、提供关于振动数据的信息和文件

采用固相反应合成了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN),Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)复合钙钛矿型粉末,并用它来改善工业BaTiO3陶瓷的介电损耗特性,实验结果表明1300~1400℃烧结后,可获得至密度为90%左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验,表明这类材料随频率从1KHz增加到1000kHz介电损耗显著降低,品质因数大幅度改善

四、各类热电探测器 五、电荷耦合器CCD 六、其他光电器件

光电器件主要分成外光电效应(光电发射效应, 分表面效应和体效应,金属和金属氧化物)和内光电效应(光电导效应和光生伏特效应,半导体) 就光电器件而言,最重要的参数是:灵敏度、驰豫时间和光谱分布。其次是温度特性、噪声特性等

采用拉伸试验、扫描电镜、电子背散射衍射、透射电镜、X射线衍射等手段,研究了冷轧中锰钢(0.2C-5Mn)退火后不同冷却方式下的微观组织特点和拉伸性能.实验钢冷轧退火后为铁素体加逆转变奥氏体的双相组织.退火后空冷可以获得稳定性较高的逆转变奥氏体,且其体积分数也明显高于退火后炉冷.退火后空冷实验钢中的逆转变奥氏体在变形过程中产生持续的TRIP效应,提高强度的同时获得了较高的塑性,强塑积可达到26.5 GPa·%

东华大学出版社：《光电信息技术》教材电子教案（PPT课件讲稿）第三章 光电信息转换 3.2.2电荷耦合器（CCD）