1 共轭效应：单双键交替出现的体系称为共轭体系。在共轭体系中，由于原子间的相互 影响而使体系内的π电子（或 P 电子）分布发生变化的一种电子效应称为共轭效应。凡共 轭体系上的取代基能降低体系的π电子密度，则这些基团有吸电子的共轭效应，用－C 表示。 凡共轭体系上的取代基能增高共轭体系的π电子云密度，则这些基团有给电子的共轭效应， 用+C 表示。共轭效应只能在共轭体系中传递，但无论共轭体系有多大，共轭效应能贯穿于 整个共轭体系中

以型号为Kynar2801的PVDF-HFP (偏氟乙烯-六氟丙稀共聚物)为基质,制备了掺杂微米TiO2粉体的聚合物锂离子电池用多孔电解质隔膜,并采用SEM、XRD、交流阻抗法以及充放电测试等测试手段研究分析该电解质膜的物理及电化学性能.实验结果表明:掺入质量分数6.5%的微米TiO2聚合物电解质膜的室温离子电导率为1.66×10-3S·cm-1,拉伸强度为2.78MPa;在以掺杂电解质膜为隔膜的锂离子电池中,分别以28,70,140,280mA·g-1的电流密度放电时,正极材料LiCoO2的放电容量分别为140.6,127.48,120.25,99.17mAh·g-1

一、电介质(dielectric)对电容的影响 二、电介质的极化(polarization)

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

一、电场强度与电势梯度(gradient)

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因

一、单管共射放大电路的频率响应 二、多级放大电路的频率响应

一、概述 二、集成运放中的电流源电路 三、集成运放电路分析 四、集成运放的主要性能指标 五、集成运放的种类

一、点电荷电场的电势(electric potential) 点电荷电场力作功

介绍了一种新型β射线电离式气体流量计.该流量计基于标记分子法测气体流速,通过硬件模拟电路对所得微弱电流信号进行放大滤波,经A/D转换输入计算机,由软件寻峰定时,实现对大管径高温气体流量的非接触测量.设计并制作了硬件电路,给出了详细的软件设计流程图