第一章 绪论 ❖ 1.1 食品化学的概念及研究内容 ❖ 1.2 食品的物质属性及物质系统 ❖ 1.3 食品成分的理化性质及化学变化综述 ❖ 1.4 食品化学的发展历史及主要研究方法 ❖ 1.5 食品化学在食品科学中的地位及在食品工业技术发展中的作用 ❖ 1.6 本课程主要内容及教学要求 第二章 食品中的水和冰 ❖ 2.1 概述 ❖ 2.1.1 水在食品中的重要作用 ❖ a.水是食品的重要组成成分，是形成食品加工工艺考虑的重要因素； ❖ 表3.1 某些代表性食品的含水量 第三章 碳水化合物carbohydrate 3.1 概述 3.2 单糖 3.3 低聚糖 3.4 多糖 3.5 淀粉 3.6 非淀粉多糖与功能食品 第四章 脂类化合物 4.1 概述 4.2 脂类物质基本的理化性质 4.3 油脂加工化学 4.4 油脂的工艺性能 第五章 蛋白质与氨基酸 5.1 概述 5.3 蛋白质的食品加工学特性 5.4 蛋白质的主要工艺特性 5.5 植物蛋白与食品加工 5.6 动物蛋白与食品加工

1.1 About Digital Design(关于 “ 数字设计 ”) 1.2 Analog versus Digital(模拟与数字) 1.3 Digital Devices(数字器件) 1.4 Electronic Aspects of Digital Design(数字设计的电子技术) 1.5 Software Aspects of Digital Design(数字设计的软件技术) 1.6 Integrated Circuits（集成电路，IC） 1.7 Programmable Logic Devices(可编程逻辑器件)  Programmable Logic Array(PLA, 可编程逻辑阵列)  Programmable Array Logic (PAL, 可编程阵列逻辑)  Programmable Logic Device(PLD, 可编程逻辑器件)  Complex PLD (CPLD, 复杂可编程逻辑器件)  Field-Programmable Gate Array(FPGA, 现场可编程门阵列） Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用) 1.8 Application-Specific ICs[专用集成电路（ASIC）] 1.9 Printed-Circuit Boards(PCB, 印制电路板) 1.10 Digital Design Levels（数字设计层次）  Device Physics Level (器件物理层）  IC Manufacturing Process Level（IC 制造过程级）  Transistor Level (晶体管级）  Gates Structure Level (门电路结构级）  Logic Design Level （逻辑设计级）  Overall System Design（整体系统设计） Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用)

第一章 气体电介质的电气性能 1.1 气体中带电质点的产生和消失 1.2 均匀电场小气隙的放电 1.3 均匀电场大气隙的放电 1.4 不均匀电场气隙的击穿 1.5 冲击电压下空气的击穿特性 1.6 提高气隙抗电强度的措施 1.7 沿面放电 第二章 液体固体电介质的电气性能 2.1 电介质的极化 2.2 电介质的电导 2.3 电介质的损耗 2.4 液体电介质的击穿特性 2.5 固体电介质的击穿特性 2.6 电介质的老化 第三章 雷电放电及防雷设备 ➢ 3.1 雷电放电过程 ➢ 3.2 避雷针和避雷线 ➢ 3.3 避雷器 ➢ 3.4 接地装置 ➢ 3.5 架空线路的防雷措施 第五章 发电厂和变电所的防雷保护 ⚫ 5.1发电厂和变电所的直击雷保护 ⚫ 5.2发电厂和变电所对侵入波的防护 ⚫ 5.3配电变压器的防雷保护 ⚫ 5.4旋转电机的防雷保护 第六章 高电压试验技术 交流耐压试验 直流耐压试验 冲击耐压试验 绝缘电阻和吸收比的测量 泄漏电流的测量 介质损耗角正切值 的测量 局部放电的测量 耐压试验 （破坏性试验） 检查性试验 （非破坏性试验） 高电压实验技术

1.1 电路模型 一、实际电路组成与功能 二、电路模型 1.2 电路变量 一、电流 二、电压 三、电功率 1.3 电阻元件与欧姆定律 一、电阻元件 二、欧姆定律 三、电阻元件上消耗的功率与能量 1.4 理想电源 一、理想电压源 二、理想电流源 1.5 基尔霍夫定律 一、基尔霍夫电流定律 二、基尔霍夫电压定律 1.6 电路等效 一、电路等效的一般概念 二、电阻的串联与并联等效 三、理想电源的串联与并联等效 1.7 实际电源的模型及其互换等效 一、实际电源的模型 二、电压源、电流源模型互换等效 1.8 电阻△形、Y形电路互换等效 一、△形电路等效变换为Y形电路 二、Y 形电路等效变换为△形电路 1.9 受控源及含受控源电路的等效 一、受控源 二、路含受控涣电路的等效 1.10 运算放大器概述 一、理想运放的符号及电路模型 二、理想运放的三种运算方式 三、运放的两种典型运算

采用加热氧化多孔Sn-Cu合金电沉积层,制备得多孔SnO2-Cu2O复合薄膜.应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量散射(EDS)分析了镀液中Sn2+/Cu2+值对薄膜结构、形貌和组成的影响.通过低压汞灯下光降解罗丹明B的反应测试了薄膜的光催化活性.结果表明,从0.01mol·L-1CuSO4、0.05mol·L-1SnSO4、1.5mol·L-1H2SO4、7mL·L-1甲醛和0.001%聚乙二醇辛基苯基醚(OP)的镀液中,在20℃以6.0A·cm-2的电流密度沉积得到的Sn-Cu合金,经过在空气气氛下200℃,2h和400℃,2h加热氧化后,转变为Sn/Cu值为3∶1的SnO2-Cu2O复合薄膜,显示出优异的光催化降解罗丹明B的活性,这归因于薄膜具有三维多孔的形貌和适合的Sn/Cu比

降雨是诱发滑坡的主要因素之一,尤其在暴雨条件下,更易激发滑坡.随着南帮边坡开采高陡化,滑坡发生频繁.为研究降雨条件下南山矿凹山采场南帮边坡稳定性特征,采用MSR300型雷达对边坡进行了连续4 a的实时稳定性监测,基于采集到的采场降雨数据和边坡滑移数据,分析了降雨量和降雨强度与边坡变形规律,对凹山采场滑坡各阶段进行了划分,建立了凹山采场边坡失稳模型和预警阈值.结果表明:凹山采场变形与降雨量呈正相关,服从幂函数规律;边坡变形速度曲线与降雨强度有良好的一致性,滑坡一般发生在最大降雨强度之后;滑坡阶段主要包括初始变形阶段,稳定变形阶段和加速变形阶段;报警阈值分别为:6 h时序内,位移阈值为20 mm,速度阈值1.5 mm·h-1;12 h时序内,位移阈值为30 mm,速度阈值为2.5 mm·h-1.凹山采场滑坡曲线与岩土体非稳定蠕变曲线具有较高的相似性,位移曲线出现了\阶跃\现象,速度曲线出现了\尖凸\现象,这种情况易引起滑坡事故,其中在位移曲线的\拐点\处和相应速度曲线的\凸点\处发生滑坡的可能性最大.研究成果为类似矿山边坡稳定性监测和破坏机制提供了科学依据和参考

1. 绘制脑环路形态和功能连接的意义（0.5学时） （1）解析大脑工作原理的必由之路 （2）探索大脑相关疾病的发生机制和诊治方法的必由之路 （3）指导发展人工智能和物种进化的必由之路 2. 脑环路形态和功能连接的基础（1.5学时） （1）化学突触 （2）缝隙连接 （3）信息传递方式：电信号，化学信号 3. 脑环路形态和功能连接图绘制的相关方法和前沿进展（1学时） （1）形态学连接图绘制相关方法：电镜、光镜、fMRI （2）连接功能图绘制相关方法：双光子成像、电生理（多电极记录）、光纤荧光信号记录或成像、光遗传学、fMRI。 （3）前沿进展：桶装皮层功能图谱绘制，听觉皮层预测环路

第1章 电力电子器件 1.1电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3半控型器件——晶闸管 1.4典型全控型器件 1.5其他新兴电力电子器件 1.6电力电子器件的驱动 1.7电力电子器件的保护 1.8电力电子器件的串联和并联使用 第2章 整流电路及触发器 2.1 单相可控整流电路 2.2 三相可控整流电路 2.3 变压器漏感对整流电路的影响 2.4 电容滤波不可控整流电路 2.6 大功率可控整流电路 2.7 整流电路的有源逆变工作状态 2.8 晶闸管直流电动机系统 2.9 相控电路的驱动控制 第3章 直流斩波电路 3.1 基本斩波电路 3.2 复合斩波电路和多相多重斩 波电路 第4章 交流电力控制电路和交交变频电路 4.1 交流调压电路 4.2 其他交流电力控制电路 4.3 交交变频电路 4.4 矩阵式变频电路 第5章 逆变电路 5.1 换流方式 5.2 电压型逆变电路 5.3 电流行逆变电路 5.4 多重逆变电路和多电平逆变电

针对印度尼西亚某低品位锰矿，提出盐酸法富集与酸介质高值再生的工艺。借助X射线衍射分析，光学显微镜和电子显微镜等表征方法进行工艺矿物学分析。结果表明：该锰矿矿物组成简单，主要由方解石、软锰矿和少量菱锰矿、褐铁矿、高岭石等组成。筛析结果显示该锰矿粒度越小，锰含量相对越高。粗碎后以2 mm筛孔的筛子过筛可得到锰质量分数为33.32%的锰中矿。锰中矿盐酸直接浸出的最佳条件为：浸出pH 3.0、浸出时间1.5 h、搅拌转速200 r·min?1、液固比4∶1 mL·g?1，此条件下产出的锰精矿品位为54.50%，钙质量分数为0.57%。常温下盐酸再生可产出二水硫酸钙晶须，其长径比可达50以上。再生盐酸返回浸出锰中矿，产出的锰精矿品位为52.16%，钙质量分数为1.39%，验证了该工艺流程的可行性。X射线衍射分析、扫描电镜及能谱分析结果显示产出的锰精矿主要组成成分为软锰矿，杂质为少量褐铁矿、高岭石等。酸介质循环时杂质将逐渐积累，当镁离子质量浓度积累到96.74 g·L?1时，采用水解沉淀法进行除杂

陶瓷膜是过滤高温含尘烟气最有效的材料之一，其过滤性能和再生性能与尘粒在陶瓷膜孔道内的沉积和脱附机制相关。本文建立了不同孔隙率的陶瓷膜物理模型，然后结合连续性方程、动量方程和能量方程，设定边界条件以及沉积条件，模拟了陶瓷膜过滤和脉冲反吹时，高温烟气的流动以及尘粒的沉积与脱附过程。结果表明，过滤速度较低和陶瓷膜孔隙率较高时，尘粒易于沉积在陶瓷膜孔道内；脉冲反吹时，增加反吹压力，延长反吹时间，尘粒易于从陶瓷膜孔道脱附。采用厚度为20 mm，长度为1.5 m，孔隙率为40%的陶瓷膜管过滤温度为1000 ℃，流速为1 m·min?1，压力为0.1 MPa的含尘烟气时，反吹气压力应不低于0.3 MPa，反吹时间不短于0.02 s，尘粒脱附时间在13 s，脉冲反吹时间间隔应高于452 s