1. 发展――在VLSI中占重要地位！ 2. 基本特点

数字电路CAD工具(较成熟，自动化程度高)： FPGA Gate Array Standardsell VHDL 系统综合

2.1 半导体的基本知识 2.2 PN结的形成及特性 2.3 半导体二极管

《电路分析基础》课程教学资源（PPT课件讲稿）2.1 电阻的串联、并联及混联

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

戴维南定理 一、实验目的 1.验证戴维南定理。 2.学习测量线性有源二端网络的等效参数。 3.验证负载上获得最大功率的条件。 二、实验设备 1.直流稳压电源 2.数字万用表 3.模拟电路实验箱

采用固相反应合成了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN),Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)复合钙钛矿型粉末,并用它来改善工业BaTiO3陶瓷的介电损耗特性,实验结果表明1300~1400℃烧结后,可获得至密度为90%左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验,表明这类材料随频率从1KHz增加到1000kHz介电损耗显著降低,品质因数大幅度改善

一、芳环的亲电取代反应及机制 二、取代基对芳环亲电取代反应的影响 三、多环芳烃的亲电取代反应 四、芳环亲核取代反应 五、芳环取代基的反应 六、含杂原子芳环的反应

插入多媒体对象 3.3.1插入并设置 Shockwave电影 1.插入并设置 Shockwave电影 (1)将光标放到要插入 Shockwave电影的位置。 (2)单击“插入”>“媒体”“Shockwave命令,或单击“插入”面板上“常规”子面板上的“Shockwave”按钮,或按Ctrl+Alt+组合键,打开“选择文件”对话框

采用拉伸试验、扫描电镜、电子背散射衍射、透射电镜、X射线衍射等手段,研究了冷轧中锰钢(0.2C-5Mn)退火后不同冷却方式下的微观组织特点和拉伸性能.实验钢冷轧退火后为铁素体加逆转变奥氏体的双相组织.退火后空冷可以获得稳定性较高的逆转变奥氏体,且其体积分数也明显高于退火后炉冷.退火后空冷实验钢中的逆转变奥氏体在变形过程中产生持续的TRIP效应,提高强度的同时获得了较高的塑性,强塑积可达到26.5 GPa·%