概述 线性电路的 S域分析法 密勒效应 极点与结点的关联 共源级 源跟随器 共栅级 共源共栅级 差分对

噪声的统计特性 噪声谱（频域） 幅值分布（时域） 相关噪声源和非相关噪声源 噪声的类型 热噪声 闪烁噪声 电路中噪声的表示 单级放大器中的噪声 共源、共栅、共漏、共源共栅 差分对中的噪声 噪声带宽

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

6.1 概述 6.2 直流信号的放大 6.3 差分放大器 6.4 集成运算放大器典型电路介绍 6.5 集成运算放大器的性能参数和模型 6.7 集成运算放大器的应用 6.8 实际集成运放电路的误差分析 6.6 理想运放及其基本组态 6.9 在系统可编程模拟器件ispPAC 6.10 单电源供电运放电路 6.11 电流模式运算放大器 6.12 集成跨导放大器 6.13 模拟乘法器

5.1 概述 5.1.1 功率放大器的主要指标 5.1.2 功率放大器的分类 5.2 互补推挽功率放大器 5.2.1 乙类推挽功率放大器的工作原理 5.2.2 乙类推挽功率放大器的分析计算 5.2.3 乙类推挽功率放大器的非线性失真 5.3 其它形式的功放电路 5.3.1 单电源供电的互补推挽电路 5.3.2 准互补推挽功率放大器 5.4 功率器件、散热及保护电路

• 3.1 线性失真及其分析方法 • 3.2 单级放大器的频率响应 • 3.3 多级放大器的频率响应

2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法

1设n阶矩阵p满足p2=p,p=p(这时,称p为幂等矩阵),R(p)和N(p)分别表示p的像子空间和核子空间,证明: (1)R(-p)是R(p)的正交补子空间 (2)对任意非零向量x∈R,有2=2+-p)x2

功率放大电路在多级放大电路中处于最后一级， 又称输出级。其主要作用是输出足够大的功率去驱动 负载，如扬声器、伺服电机、指示表头、记录器等。 功率放大电路要求：输出电压和输出电流的幅度都比 较大；效率高。因此，三极管工作在大电压、大电流 状态，管子的损耗功率大，发热严重，必须选用大功 率三极管，且要加装符合规定要求的散热装置。由于 三极管处于大信号运用状态，不能采用微变等效电路 分析法，一般采用图解分析法