物质的导电性涉及其微观结构. 粗略地说, 我们可以将物质划分为导体和绝缘体(或称之为电介质). 导体的特征是具有大量自由电子, 而电介质则相反, 其中的电子作绕核运动而不易有自由运动 我们也可 以从能量的观点来说明, 构成导体的原子的能级通常有不满的壳层, 例如, . 当形成晶体 的时候, 将存在能带

提出一种准确快速测量AA3104热轧铝板织构的方法.为避免因反射法测量带来的不均匀性,根据铝板的样品对称性和晶体对称性,用透射法测出极图上一条弧段上的衍射数据.用正态分布来拟合测量的数据,并得到各织构组分的特征参数.用所得参数计算出的极图和ODF图与用常规方法实际测得的结果有较好的一致性,很好地预测到热轧铝板的主要织构组分.原则上,该技术可以发展成为工业上热轧铝板织构的在线定量检测技术

采用交流阻抗技术,研究钝化304不锈钢单晶体在pH1.0,0.25mol/lNa2SO4含氯介质中的孔蚀行为。对孔蚀过程中的阻抗频谱特征进行了分析,提出孔蚀的发生和发展过程中都有复合物(MOHC1)形成。复合物进一步吸附更多的氯离子,导致溶解反应发生。并提出一个孔蚀的的反应机理模型,它与304不锈钢多晶体在硫酸含氯介质中的孔蚀机理没有本质的差别

高水速凝固化胶结充填材料在养护至60d左右时,开始出现风化现象,到90d时较严重。风化原因是空气中的二氧化碳侵蚀充填材料中的钙矾石晶体以及材料中含有的自由重力水的逸出等造成的。保持恒温恒湿的环境条件是防止这种充填材料风化的可行途径之一

1. 掌握原子核外电子分布的一般规律（描述核外电子运动状态的四个量子数的物理意义和可能取值，核外电子排布原理，电子排布式和轨道表示式）及其与元素周期表的关系； 2. 了解原子核外电子运动的基本特征，s,p,d 轨道波函数与电子云的空间分布情况； 3. 了解化学键的本质及共价键键长、键角等概念； 4. 熟悉杂化轨道理论，能用该理论判定某些分子的空间构型； 5. 了解分子间力和晶体结构及对物理性质的影响； 6. 了解原子光谱和分子振动光谱的基本原理及应用情况

本文选用薄晶体透射电镜法及x射线衍射定量相分析法研究10MOWVNb抗氢钢在γ→α转变过程中碳化物析出规律,观察到碳化物主要以相间沉淀,纤维状生长及位错上析出三种方式形成,通过对碳化物固溶温度估算及x射线定量相分析,进一步阐明在所给条件下析出的碳化物主要为V4C3。运用晶界相对入射电子束倾斜能显示二维晶界面特征方法,验证了Honeycombe提出的有关相间沉淀碳化物生核、长大的观点。文中对高温回火过程中,碳化物可能以恒温相间沉淀方式析出进行了初步探讨

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点