通过测量不同工艺条件下玻璃绝缘子中的气孔率和最大气泡直径,以及观察底盘表面的玻璃飞溅情况,研究了熔封气氛、熔封温度、熔封时间、氧化膜类型和厚度对玻璃绝缘子中气孔率和玻璃飞溅的影响.结果表明,玻璃绝缘子中气孔率与可伐合金底盘表面的飞溅程度有一定的关系.可伐合金表面Fe3O4氧化物与玻璃中SiO2发生化学反应是玻璃绝缘子中气泡的一个重要来源,也是引起玻璃飞溅的因素.熔封气氛和氧化膜厚度对气孔率和玻璃飞溅影响最大.推荐的工艺条件是在可伐合金表面生成厚度约1μm的FeO氧化膜,然后与玻坯在950~980℃工厂条件的气氛中熔封30~40 min

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系统研究了环保型无取向型电工钢板绝缘膜的电工性能.采用水、磷酸二氢铝、苯-丙乳液作为涂料的主要原材料,综合SEM、能谱、XRD、盐雾实验、硬度和附着性能的试验结果,得到制备电工钢绝缘涂料的最佳原料质量比为水:Al(H2PO4)3:苯-丙乳液=25:10:5.在该最佳配比条件下电工钢片的层间电阻基本保持在500(Ω·mm2)/片以上,附着性、耐蚀性能良好,表明磷酸盐环保涂料是一种优良的电工钢绝缘涂料

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

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一、项目的背景及意义 二、国内外研究现状及存在的问题 三、项目研究内容和实施方案 四、研究结论及成果总结

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实验一 绝缘电阻和泄漏电流的测量 测量绝缘电阻与吸收比的工作原理 测量绝缘电阻与吸收比的方法 泄漏电流的测量 实验二 介质损耗角正切的测量 西林电桥的基本原理 存在外界电磁场干扰时的测量 测试功效 注意事项 实验三 工频高压试验 实验四 直流高压试验 实验五 冲击高压试验 冲击电压波形 冲击电压发生器原理 冲击电压发生器结构 冲击电压测量

（1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态