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提出了一种镁合金/微弧氧化膜/有机涂层的镁合金防护体系.在以硅酸钠为主的复合溶液中,利用双向对称脉冲电压在阴、阳极镁合金表面同时微弧电沉积陶瓷膜.利用盐雾实验比较了以镁合金微弧氧化膜为基底并涂覆环氧底漆和聚胺脂丙烯酸面漆的试样与镁合金/微弧氧化膜/有机硅、镁合金/微弧氧化膜/溶胶凝胶涂装试样的耐蚀性,并利用盐雾实验与交流阻抗谱相结合跟踪对比分析了镁合金/有机涂层、镁合金/铬酸盐转化膜/有机涂层、镁合金/微弧氧化膜/有机涂层的屏蔽性能.结果表明:采用溶胶凝胶、有机硅和有机涂层对微弧氧化膜进行涂装的方法均可进一步提高镁合金的耐蚀性,其中镁合金/微弧氧化膜/有机涂层试样可承受480h以上的中性盐雾实验,且其介质屏蔽性能优于镁合金/有机涂层和传统的镁合金/铬酸盐转化膜/有机涂层防护体系
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利用CaCl2为氯源与含锌冶金粉尘的重要组分ZnFe2O4进行反应,并利用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)分析了ZnFe2O4粉体与CaCl2反应面和反应产物微观形貌的变化,讨论了ZnFe2O4与CaCl2的反应机理.认为反应过程包括一个固液反应和气体挥发过程.ZnFe2O4颗粒被熔融CaCl2包裹,在固液界面发生氯化反应,生成的ZnCl2溶解在CaCl2液膜中,并在气液界面挥发逸出,而CaFe2O4的产物层不断增大,同时伴随着多个颗粒间的黏结和融合长大
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为了处理含高铅的镍物料,进行了电解阳极液中深度除铅的实验研究.分析了电解镍含铅量与电解液中Pb2+质量浓度的关系、共沉淀净化除铅的机理及电解液中的Cl-、Fe3+对除铅结果的影响.通过实验研究,确定了采用共沉淀法深度除铅的最优技术参数:氯化钡加入系数为150、除铅温度为55℃、搅拌除铅时间为60 min、喷淋加入氯化钡溶液的时间为21 min、絮凝剂的质量浓度为2.5 g·L-1.实验结果表明:采用氯化钡共沉淀法净化除铅,除铅后电解液中[Pb2+]≤0.0003 g·L-1,渣含镍质量分数小于4%,满足电解镍生产对电解液成分的要求.通过除铅扩大试验,证明了小型试验所确定的技术参数的可靠性,该工艺成功地应用于工业生产实践
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对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料.通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒体的预成形坯.结果表明:SiCp装载量为65%,粘结剂成分为70%PW(石蜡)+29%HPDE(高密度聚乙烯)+1%SA(硬脂酸)的喂料在较宽的剪切速率和温度范围内均具有良好的注射性能;在合适的注射参数下可以制得完整无缺陷的注射坯;采用溶剂脱脂与热脱脂两步脱脂工艺,可以成功脱除注射坯体中的粘结剂,在1150℃进行预烧结,制备出了具有良好外观形貌、足够强度以及适中连通孔隙的预成形坯,可以满足后续加压渗铝制备SiCp/Al复合材料的封装盒体实验的要求
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采用加热氧化多孔Sn-Cu合金电沉积层,制备得多孔SnO2-Cu2O复合薄膜.应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量散射(EDS)分析了镀液中Sn2+/Cu2+值对薄膜结构、形貌和组成的影响.通过低压汞灯下光降解罗丹明B的反应测试了薄膜的光催化活性.结果表明,从0.01mol·L-1CuSO4、0.05mol·L-1SnSO4、1.5mol·L-1H2SO4、7mL·L-1甲醛和0.001%聚乙二醇辛基苯基醚(OP)的镀液中,在20℃以6.0A·cm-2的电流密度沉积得到的Sn-Cu合金,经过在空气气氛下200℃,2h和400℃,2h加热氧化后,转变为Sn/Cu值为3∶1的SnO2-Cu2O复合薄膜,显示出优异的光催化降解罗丹明B的活性,这归因于薄膜具有三维多孔的形貌和适合的Sn/Cu比
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生化大实验是一门综合性的实验课程,教学的目的在于通过对生命物质的分离制备,纯化,分析等综合性实验,在已掌握的基础生物化学理论知识和生化实验常用方法的基本原理、基本操作技术(如滴定、比色、层析、电泳等)的基础上,训练学生的综合实践动手能力,掌握蛋白质、酶、核酸等重要物质的分离、纯化等的测定技术。实验一蛋白质含量的测定实验二离子交换法血清纯化IgG实验三离子交换层析法分离血清白蛋白实验四SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳测定分子量实验五等电聚焦法测定样品的等电点实验六质粒的分离与纯化实验七PCR扩增目的基因片段实验八酶联免疫吸附实验
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基本要求:理解逻辑代数的基本逻辑运算,懂得在数字电子技术中数学运算是用逻辑运算实现的;掌握逻辑运算规则、逻辑函数的表示、逻辑函数的标准表达式、卡诺图化简等基本理论;懂得从电子技术角度,逻辑运算通过电路实现;初步理解逻辑门电路的基础概念及其接口特性;掌握利用逻辑代数知识分析组合逻辑电路的一般过程及其方法;了解用逻辑门电路设计组合逻辑电路的一般过程;掌握译码器、编码器、数据选择器等常用中规模组合逻辑电路芯片的逻辑功能及其特点;掌握利用译码器、数据选择器实现组合逻辑电路的一般过程及其应用方法
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《毕业设计》课程教学大纲 《单片机原理及应用》课程教学大纲 《单片机原理及应用课程设计》课程教学大纲 《辐射测温学》课程教学大纲 《光电测试技术》课程教学大纲 《光电仪器设计》课程教学大纲 《光机电一体化设计与设备》课程教学大纲 《光谱技术与仪器》课程教学大纲 《光纤通讯技术》课程教学大纲 《光学加工与检测技术》课程教学大纲 《光学系统设计》课程教学大纲 《红外与微光技术》课程教学大纲 《激光原理与技术》课程教学大纲 《精密测控电路与驱动技术》课程教学大纲 《企业专家讲座》课程教学大纲 《生产实习》课程教学大纲 《视觉检测技术》(双语)课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《数字信号处理》(双语)课程教学大纲 《微光机电系统概论》(双语)课程教学大纲 《物理光学》课程教学大纲 《误差理论与不确定度分析》课程教学大纲 《显示技术》课程教学大纲 《信号与系统Ⅱ》课程教学大纲 《信息光学》课程教学大纲 《应用光学》课程教学大纲 《专业导论课》课程教学大纲 《专业综合实践》课程教学大纲
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§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.8 放大电路的频率特性 一、频率响应和频率失真 二、放大电路的频率响应和瞬态响应 三、晶体管的高频特性 四、单管共射放大电路的频率响应 五、放大电路的增益带宽积 六、多级放大电路的频率响应
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1 化学反应速度、反应级数和活化能的测定 2 弱电解质电离常数的测定 3 氧化还原与电化学 4 银氨配离子配位数的测定 5 磺基水杨酸合铜配合物的组成及其稳定常数的测定 6 硫酸亚铁铵的制备和性质 7 三草酸合铁酸钾的制备和性质. 8 硫代硫酸钠的制备 9 水溶液中 Na+、K+、NH4+、Mg2+、Ca2+、Ba2+等离子的分离和检出 10 P 区元素重要化合物的性质 . 11 DS 区重要元素化合物的性质. 12 水溶液中 Ag+、Pb2+、Hg2+、Cu2+、Bi3+、Zn2+等离子的分离和检出 13 D 区元素重要化合物的性质 14 水溶液中 Fe3+、Co2+、Ni2+、Mn2+、Al3+、Cr3+、Zn2+等离子的分离和检出 15 阴离子定性分析63
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