• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache

采用具有使镀液高速流动的电镀装置,制备Zn-SiO2复合镀层试样,利用扫描电镜、X射线衍射及透射电镜测定它们的相结构、组织、缺陷及表面形貌,找出了Zn-SiO2复合镀层耐蚀性比纯锌层高的原因

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建立钢棒拉应力电磁测试系统,进行了拉伸状态的钢棒表面感应电动势测试.通过变频测试方法提取出钢棒应力电学谱纹,并借助最小二乘法得出依据应力-感应电动势谱纹进行应力识别的表达式,分析了应力感应电动势测试机理.结果表明:对于100～600Hz范围内的某一频率值,在拉伸荷载增加过程中,钢棒感应电动势ξ随拉应力σ增加,表现出先增大后减小或一直增大的特征.对于某一固定应力值,感应电动势随着频率增加总体呈下降趋势.随着应力水平的提高,钢棒应力感应电动势谱线逐渐上升

采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪、盐雾实验和电化学极化方法,研究了SS400热轧带钢沿宽度方向不同位置氧化皮的组织、结构及其耐蚀性.结果表明,SS400边部取样位置的氧化皮厚度最厚且比较均匀,结构致密,存在明显的Fe3O4/Fe共析组织.SS400边部和板宽1/4处的成分主要为Fe3O4、Fe2O3和Fe,板宽中心位置的成分主要为Fe3O4和Fe.盐雾腐蚀实验表明,SS400边部腐蚀最轻,板宽1/4处次之,板宽中心位置腐蚀最为严重.动电位极化曲线测试结果显示,SS400边部的腐蚀电位明显高于其他两个位置,腐蚀电流最小.热轧带钢在卷曲后,由于带钢沿宽度方向不同位置的供氧差异,会导致氧化皮组织、结构的显著不同,进而影响氧化皮的耐蚀性

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采用正交实验方法对HRB335钢进行电脉冲处理.考虑了最大脉冲电流、频率和处理时间的搭配作用,得出实验条件下的最佳参数范围.通过和前人结果的分析比较得出电脉冲效果可能与钢种无关的初步结论,以及对树枝晶打断理论的不同观点,指出实验过程中液面波动现象是金属中溶入了过多的氧所致