利用熔铸-原位反应和压铸成形技术制备了TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料,测试了复合材料的拉伸性能.结果表明:TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料的室温极限拉伸强度为354MPa,比基体合金提高26%;260℃时复合材料的极限拉伸强度为272MPa,比基体合金提高46%.复合材料的延伸率与Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg合金相当.讨论了进一步提高熔铸一原位反应TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料拉伸强度的途径

第一章软件危机与软件工程 一、学习要点: 软件工程是在20世纪60年代末期提出的。这 一概念的提出,其目的是倡导以工程的原理、 原则和方法进行软件开发,以期解决当时出现 的“软件危机”。 二、本章介绍软件危机和软件工程的基本概念

一、大量分子的统计学(statistics)描述 宏观物体都是由大量不停息地运动着的、彼此 有相互作用的分子或原子组成 现代的仪器已可以观察和测量分子或原子的大 小以及它们在物体中的排列情况,例如X光分析仪, 电子显微镜,扫描隧道显微镜等

首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致

41工程量计算的一般原理与方法 4.1.1工程计量的概念 4.1.2工程量计算的依据 4.1.3工程量计算一般原理 4.1.4工程量计算方法和步骤

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关

第二十六章抗高血压药 antihypertensive drug 概述:高血压是临床常见病症,WHO建议:在静息 状态下动脉收缩压超过140mmHg,舒张压超过 90mmHg的个体为高血压。可分为原发性高血压 (90%~95%)和继发性高血压。原发性高血压亦 称高血压病。继发性高血压是某些疾病的一种表 现。高血压可分为轻度、中度、重度及高血压危 象

以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因

ISO8402较为准确地说明了质量体系的内涵, 质量管理是通过建立健全质量体系来实施各项 质量管理活动的。 按照ISO质量体系的原则和原理的内涵,质 量体系贯穿于实体质量形成的全过程