一.选择题 1.④; 2.①; 3.④; 4.②;③; 5.①。 二.填空题 1.杆1、3、5;

一、判断题 1.错;2.对;3.错;4.错;5.对。 二、选择、填空题 1.B;2.C;3.固有频率;4.A;5.向左移动1;6 7.大小为-ml2a+M12a,转向逆时针

一、选择题(每题3分。请将答案的序号填入划线内) 1.正方体仅受两个力偶作用,该两力偶矩矢等值、反向,即M1=M2,但不共线,则正方体 ①平衡; ②不平衡; ③因条件不足,难以判断是否平衡

一、绘图与编辑命令: 二、图案填充与编辑 三、旋转( ROTATE) 四、比例(SCALE) 五、移动(MOVE) 六、改变长度( LENGTHEN)

1、班长整队,报告人数 2、师生问好,教师检查学生服装填写考勤表。 3、教师宣布本次课的主要内容和教学任务

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流