一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型

8.1 扩展并行三总线 8.2 扩展简单并行输入/输出口 8.3 扩展并行数据存储器 8.3.1 扩展存储器概述 8.3.2 数据存储器的扩展 8.4 串行扩展总线接口技术

10.1 概述 10.2 施密特触发器（常用的一类脉冲整形电路） 10.3 单稳态触发器 10.4 多谐振荡器（自激振荡，不需要外加触发信号） 10.5 555定时器及其应用 10.6 用multisim分析脉冲电路

7.1随机存取存储器(RAM) RAM的基本结构 RAM的存储单元 RAM的容量扩展 RAM的芯片介绍 7.2只读存储器(ROM) ROM的分类 ROM的结构及工作原理 ROM的应用 ROM的容量扩展

一、工艺路线(routing)文件, 一记录各种自制件实际的加工/装配顺 序,每道工序过程中使用的工作中心、 各项时间定额,以及外协工序时间和费 用的文件。 一与工艺文件的区别在于,工艺路线是计 划文件,主要记录加工过程中的工序顺 序和生产资源等计划信息,而非加工技 术条件和操作要求等技术细节

在第一章里,我们初步认识了与、或、非三种基本逻辑运算和与非、或非、异或等常 用逻辑运算,在那里,这些运算关系都是用逻辑符号来表示的。而在工程中每一个逻辑符 号都对应着一种电路,并通过集成工艺作成一种集成器件,称为集成逻辑门电路,逻辑符 号仅是这些集成逻辑门电路的“黑匣子\。本章将逐步揭开这些“黑匣子”的奥秘,介绍集 成逻辑门电路的两种主要类型TL和MO门电路的工作原理、逻辑功能及外部特性,同 时对内部结构也作一简要介绍

第六章 多变量函数的微分法 §1.多变量函数的极限.连续性 §2.偏导函数多变量函数的微分 §3.隐函数的微分法 §4.变量代换 §5.几何上的应用 §6.台劳公式 §7.多变量函数的极值 第七章 带参数的积分 §1.带参数的常义积分 §2.带参数的广义积分,积分的一致收性 §3.广义积分中的变量代换,广义积分号下微分法及积分法 §4.尤拉积分 §5.福里叶积分公式

第六章 多变量函数的微分法 §1.多变量函数的极限.连续性 §2.偏导函数多变量函数的微分 §3.隐函数的微分法 §4.变量代换 §5.几何上的应用 §6.台劳公式 §7.多变量函数的极值 第七章 带参数的积分 §1.带参数的常义积分 §2.带参数的广义积分,积分的一致收性 §3.广义积分中的变量代换,广义积分号下微分法及积分法 §4.尤拉积分 §5.福里叶积分公式

第1章分布式数据库系统概述 1.数据库系统知识回顾 2.计算机网络知识回顾 3.分布式数据库系统的由来和发展 4.分布式数据库系统的定义和分类 分布式数据库系统的体系结构和组成部分 分布式数据库系统中数据的独立性与分布透明性分布式数据库系统的优点和存在的技术问题

在局部腐蚀微区中,金属离子水解而造成PH下降的事实虽已由不少研究工作证实,但因研究技术上的困难,这方面原位的、定量的测量数据尚不充分,现在的数据多为模拟实验提供。本文把生理学上曾得到应用的钨电极引入局部腐蚀中来,较为系统地究究了钨电极的电位与溶液pH值的线性关系,钨电极的电位随温度、时间的变化,以及腐蚀介质和某些腐蚀研究中常见的离子对钨电极的电位的影响。证明:在PH值为0.5~5.0的范围内,钨电极的电位与溶液PH值有良好的线性关系:EP=+a×pH。式中a、b为与电极表面状态有关的常数,但a的数值一般在f0mv/pH左右。温度系数<2mv/度。Cl-、SO42-、NH4+、Na+、Mg2+、Mn2+、Zn2+、Al2+、Ni2+对测定干扰很少,Cr3+及Fe3+在浓度不大时干扰也较小,因此钨电极与微参比电极配合,可以应用在局部腐蚀的微区测量中