永磁同步电机的运动控制是一个强耦合的非线性动态控制系统,而且在控制过程中测量数据带有噪声,采用传统的线性控制理论很难达到系统要求.提出一种非线性系统的随机观测器——卡尔曼位置观测器,它用于高频信号注入法下的转子位置检测.利用脉动高频信号注入法进行永磁同步电机转子位置自检测,将产生的高频载波电流解调后,送入设计的卡尔曼位置观测器,可有效去除干扰噪声,准确观测出转子位置.仿真实验结果表明,在有系统噪声和测量噪声的情况下,基于卡尔曼位置观测器的脉动高频信号注入法能够精确地跟踪转子位置

设计了非反应性保护渣,利用热丝法和渣膜热流模拟仪研究了Li2O含量对其结晶行为和渣膜传热特性的影响.结果表明:在小于2%的范围内增加Li2O的质量分数可减弱非反应性保护渣的结晶性能;而在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,则渣系晶体析出孕育时间缩短,结晶温度升高,临界冷却速度增大,结晶速率常数增大,即促进了非反应性渣系的结晶.同时发现,在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,非反应性保护渣的最大热流密度、平均热流密度及特征时间均减小

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的

第一节 中值定理 一、罗尔中值定理 二、拉格朗日中值定理 三、柯西中值定理 第二节 洛必达法则 第三节 泰勒(Taylor)定理 一、问题的提出 二、Pn和Rn的确定 三、泰勒中值定理 四、简单应用 第四节 函数单调性的判定法 一、单调性的判别法 二、单调区间求法 第五节 函数极值及其求法 一、函数极值的定义 二、函数极值的求法 第六节 最大值、最小值问题 一、最值的求法 二、应用举例 第七节 曲线的凹凸与拐点 一、曲线凹凸的定义 二、曲线凹凸的判定 三、曲线的拐点及其求法 第九节 曲率 一、弧微分 二、曲率及其计算公式 三、曲率圆与曲率半径

§7.1 离子的迁移 1.电解质溶液的导电机理 2.法拉第定律 3.离子的迁移数 §7.2 电解质溶液的电导 1. 电导、电导率、摩尔电导率 2. 电导的测定 3. 电导率和摩尔电导率随浓度的变化 4. 离子独立运动定律及离子摩尔电导率 §7.3 电导测定的应用示例 1. 求算弱电解质的电离度和电离平衡常数 2. 求算微溶盐的溶解度和溶度积 3. 电导滴定 §7.4 强电解质的活度和活度系数 1.离子的平均活度a± 和平均活度系数± 2.影响离子平均活度系数±的因素 §7.5 强电解质溶液理论简介 1. 离子氛模型及德拜-尤格尔极限公式 2.不对称离子氛及德拜-尤格尔-盎萨格电导公式 §7.6 可逆电池 1.可逆电池的必要条件 2.可逆电极的种类 3.电动势的测定 4.电池表示法 5.电池表达式与电池反应的“互译” §7.7 可逆电池热力学 1.可逆电池电动势与浓度的关系——能斯特方程 2. 电动势及其温度系数与电池反应热力学量的关系 3. 离子的热力学函数 §7.8 电极电势 1. 电池电动势产生机理 2. 电极电势 (1) 标准氢电极 (SHE) (2) 任意电极的电极电势数值和符号的确定 (3) 电极电势的能斯特公式 (4) 参比电极 §7.9 由电极电势计算电池电动势 §7.10 电极电势和电池电动势的应用 1. 判断反应趋势 2. 求化学反应的K 3. 求微溶盐的活度积Kap 4. 求离子的平均活度系数  5. 测定pH 6. 电势滴定 §7.11 电极的极化 1. 过电势 2. 电极极化的原因 3. 过电势的测定 §7.12 电解时的电极反应 1.阴极反应（还原反应） 2.阳极反应（氧化反应） §7.13 金属的腐蚀与防腐 §7.14 化学电源简介

⚫ 防火墙构成了每个方向传输数据所必须经过的关卡。防火墙的安全策略规定了在每个数据传输方向上的授权。 ⚫ 防火墙可以被设计成IP级的包过滤器，也可以被应用在更高级别的协议层。 ⚫ 一个可信系统是在给定的安全策略下，其运行可以被验证的计算机和操作系统。通常，可信系统的焦点是访问控制，而其采用的策略规定了主体对客体的访问权限。 ⚫ 消息技术安全通用标准是一个国际化的标准。它定义了一套安全需求和测评，并以此需求为根据的产品的系统化方法

第一章 统计和统计数据的收集 第二章 统计数据的整理和展示 第三章 数据的描述性分析 一、绝对数和相对数 二、集中趋势的测定 三、离散趋势的测定 四、数据的形态测定 第四章 概率基础——随机变量及其概率分布 第一节 随机变量的概念及数字特征 第二节 常见的离散型分布 一、两点分布 二、二项分布 第三节 常见的连续型分布 正态分布 x2分布 t分布 F分布 第四节 中心极限定理 第五章 区间估计和假设检验 第六章 相关与回归 多元线性回归 非线性回归模型 第八章 时间数列分析 时间数列的种类和编制方法 时间数列传统分析指标 长期趋势的测定 季节变动、循环变动和剩余变动的测定 时间数列的预测方法

4.1 时序电路概述 4.1.1 时序电路的一般形式 4.1.2 时序电路的分类 4.1.3 时序电路的描述方法 4.2 双稳态元件 4.2.1 S-R 锁存器 4.2.2 /S- /R 锁存器 4.2.3 带使能端的S- R 锁存器 4.2.4 D 锁存器 4.2.5 边沿触发D触发器 4.2.6 主从S-R 触发器 4.2.7 主从J-K 触发器 4.2.8 边沿触发J－K 触发器 4.2.9 T 触发器 4.3 同步时序电路的分析方法 4.4 计数器 4.4.1 二进制串行计数器 4.4.2 二进制同步计数器 4.4.3 用跳越的方法实现任意模数的计数器 4.4.4 强置位计数器 4.4.5 预置位计数器 4.4.6 修正式计数器 4.4.7 MSI 计数器及应用 4.5 寄存器 4.5.1 并行寄存器 4.5.2 移位寄存器 4.5.3 MSI寄存器应用举例 4.6 节拍分配器 4.6.1 计数型节拍分配器 4.6.2 移位型节拍分配器 4.6.3 MSI节拍分配器举例

基本要求：理解逻辑代数的基本逻辑运算，懂得在数字电子技术中数学运算是用逻辑运算实现的；掌握逻辑运算规则、逻辑函数的表示、逻辑函数的标准表达式、卡诺图化简等基本理论；懂得从电子技术角度，逻辑运算通过电路实现；初步理解逻辑门电路的基础概念及其接口特性；掌握利用逻辑代数知识分析组合逻辑电路的一般过程及其方法；了解用逻辑门电路设计组合逻辑电路的一般过程；掌握译码器、编码器、数据选择器等常用中规模组合逻辑电路芯片的逻辑功能及其特点；掌握利用译码器、数据选择器实现组合逻辑电路的一般过程及其应用方法

▪ 3.1 并行程序开发方法 ▪ 3.1.1 并行层次与代码粒度 ▪ 3.1.2 并行程序开发策略 ▪ 3.1.3 并行编程模式 ▪ 3.1.4 并行应用编程过程 ▪ 3.2 并行程序设计模型 ▪ 3.2.1 计算π样本程序 ▪ 3.2.2 数据并行模型 ▪ 3.2.3 消息传递模型 ▪ 3.2.4 共享变量模型 ▪ 3.3 并行编程语言和环境概述 ▪ 3.3.1 早期并行编程语言 ▪ 3.3.2 近代并行编程语言与环境 ▪ 3.3.3 并行说明性语言环境 ▪ 3.4 循环程序并行化的一般方法 ▪ 3.4.1 数据相关分析 ▪ 3.4.2 .数据划分与处理器指派 ▪ 3.4.3 循环重构