一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

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结论 1： 有记忆信源的冗余度寓于信源符号 间的相关性中。去除它们之间的相关性， 使之成为或几乎成为不相关的信源，其 熵将增大。 结论 2： 离散无记忆信源的冗余度寓于符号 概率的非均匀分布中。改变原来信源的 概率分布，使之成为或接近等概分布的 信源，其熵将增大

一、 非磁性物质 1、 介质的磁化现象：介质放进磁场中，一定发生某种变化，称为介质的磁化，磁化后的介质改变原来的磁场（类似于电介质的极化）。铁磁性介质磁化显著，非磁性物质磁化不明显

半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

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