第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

一、中间容器：不能单独存在 二、 可以添加各种组件(包括面板组件) 1、面板(JPanel)的大小由它所包含的组件决定 2、当组件个数增加，面板(JPanel)也会随之而增大

1．man命令 语法：man [-k] [command_name]功能：显示参考手册，提供联机帮助信息。 2．uname命令 语法：uname [选项]功能：显示目前的版本等系统信息，uname可从显示电脑以及操作系统的相关信息。uname 可以知道用户现在所用的操作系统的版本、硬件的名称等各种数据。这个命令各选项及其功能见表3-21

一、面向对象程序设计(OOP) 1、 将数据(属性)和方法(行为或功能)封装到类(classes)中 2、 数据与方法常常是紧密相关的 3、对象(objects): 类的实例对象或类本身 4、 三个基本特性：封装性、继承性和多态性

一、异常(Exception)? 1、 异常(Exception)是正常程序流程所不能处理或没有处理的异常情况或异常事件。 2、在有些书中，异常也称作例外。 3、例如除数为0

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

10-5 已知U2=20 UO(AV)=0.9U2=0.9×20＝18V IO(AV)= UO(AV)/ RL=18/1=18mA ID(AV)= IO(AV)/2=18/2=9mA URM = 2U2 = 1.41 20 = 28.2V

结论 1： 有记忆信源的冗余度寓于信源符号 间的相关性中。去除它们之间的相关性， 使之成为或几乎成为不相关的信源，其 熵将增大。 结论 2： 离散无记忆信源的冗余度寓于符号 概率的非均匀分布中。改变原来信源的 概率分布，使之成为或接近等概分布的 信源，其熵将增大

定义 7－1：如果两个整数 a，b 被模 m 除后有相同的余数 r，即： a=q1m+r，b=q2m+r 则称 a,b 对模 m 同余，记作 a≡b mod m。 否则称 a,b 对模 m 不同余，记作 a≡b mod m