以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1. 随着温度升高，二极管的反向电流将 。 2. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的 问题

采用密度泛函理论计算了一系列黄药捕收剂的几何构型和电子结构，利用最高占据分子轨道能量、自然布局分析电荷、电负性和绝对硬度等参数判断黄药捕收剂的浮选性能.研究结果表明：黄药阴离子是浮选溶液中的活性成分，键合原子为C—S单键中的S原子.最高占据分子轨道能量可较好地解释直链黄药（C1-C6）的浮选性能随碳链增长而增强的现象.在黄药同分异构体中，与极性基相连的碳原子上支链越多，烷基给电子诱导效应越强，该异构体的捕收活性越强.黄药同分异构体（C3-C5）的捕收活性顺序为：叔烃基黄药〉仲烃基黄药〉异烃基黄药

根据有关的热力学数据和Criss、Cobble提出的熵对应原理计算了Sb—H2O体系在100、150、200℃下的电位—pH图。计算结果表明,随温度升高Sb的稳定性区域稍有缩小,特别是在高pH值的部份有同较低电位和较小PH值方向移动的趋势,在SbO2-,SbO3-区域扩大的同时Sb2O3,Sb2O5的稳定区域亦缩小。这是由于随温度上升,这些离子稳定性增加的缘故。最后,依照电位—pH图对钢铁表面上Sb涂层的腐蚀与保护条件进行了初步探讨

(1) 了解电极电势的概念，能用能斯特方程式进行有关计算 (2) 能应用电极电势的数据判断氧化剂还原剂的相对强弱及氧化还原反应自发 进行的方向和程度。了解摩尔吉布斯焓变与原电池电动势，标准摩尔吉布斯 自由能变与氧化还原反应平衡常数的关系。 (3) 了解电解、电镀、电抛光的基本原理,了解它们在工程上的应用。 (4) 了解金属腐蚀及防护原理

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态

对45 t电炉终点碳控制技术进行研究，优化了冶炼工艺及用氧制度，改进了泡沫渣工艺.电炉氧化末期钢水碳的合格率得到较大提高，减少了脱氧材料加入量，在一定程度上降低了LF座包钢水中的氧含量.通过优化泡沫渣工艺，电炉炉盖结冷钢现象已基本杜绝，炉子水冷件漏水现象大幅度减少，缩短了热停时间

利用硬度计在光滑沙漏状车轴钢疲劳试样上制造压痕,同时利用电火花在试样上加工缺陷,通过疲劳试验研究两种缺陷尺寸与试样疲劳极限之间的关系.将两类试样的测试结果和基于材料硬度、缺陷投影面积的Murakami模型计算结果进行对比.利用扫描电镜观察试样疲劳断口.结果表明,与计算结果相比较,压痕局部塑性变形导致的加工硬化和残余应力对试样的疲劳强度没有影响,裂纹依然从应力集中最大的压痕底部起裂.电火花缺陷表面粗糙度较大引起二次缺口效应,表面硬脆的重铸白层上还有微孔和微裂纹存在,导致此类试样疲劳强度低于模型计算结果,裂纹从电火花缺口底部多处萌生

1. .一个直流应变电桥如图。已知：R1=R2=R3=R4=R=120Ω，E=4V，电阻应变片灵敏度 S=2。求：（1） 当 R1 为工作应变片，其余为外接电阻，R1 受力后变化 R1/R=1/100 时，输出电压为多少？（2）当 R2 也改为工作应变片，若 R2 的电阻变化为 1/100 时，问 R1 和 R2 是否能感受同样极性的应变，为什 么？

13-1拉普拉斯变换的定义 13-2拉普拉斯变换的基本性质 13-3拉普拉斯反变换 13-4运算电路 13-5应用拉普拉斯变换法分析线形电路