 共源放大器  源极跟随器  共栅放大器

 pn结模型  BJT型晶体管模型  MOS型晶体管模型  MOS型与BJT型晶体管的比较

devices the techniques were tailored to gate networks of the type described above. The term gate was already in use in the forties to denote the logical elements discussed earlier. There are very many good references on Boolean algebra and we may quote only a selected few of them. Suffice it to mention the texts by Hill and Peterson [1974], Kohavi [1978], and Hohn [1966]. These books give

第一节汇编语言程序的编写方法 第二节汇编语言程序的汇编 第三节COF的一般概念 第四节目标文件的链接

￾ 单电子近似的基本思想 ￾ 布洛赫定理 ￾ 金属自由电子的空晶格模型 ￾ 能带的一般性 ￾ 电子在外场中的运动 ￾ 金属、半导体、绝缘体能带的差别 一、基本内容 二、学习要点 熟练掌握以下内容 ￾ 布洛赫定理及能带的一般性 ￾ 能带的起因的物理解释，能带的一般特点 ￾ 固体导电性与能带结构的关系

16.1 集成运算放大器的简单介绍 16.2 运算放大器在信号运算方面的应用 16.4 运算放大器在波形产生方面的应用 16.6 使用运算放大器应注意的几个问题 16.5 运算放大器在信号测量方面的应用 16.3 运算放大器在信号处理方面的应用

§1-1 半导体物理中基本概念 • 载流子：电子与空穴 • 有效质量 • 费米能级与准费米能级 • 热平衡态与非平衡态 • 本征与掺杂 • 施主与受主 • 散射与碰撞 • 漂移与扩散 • 稳态与非稳态 §1-2 半导体材料特性 • 晶格结构 • 密勒指数 • 载流子的概念 • 半导体器件理论基础 §1-3 半导体能带论 • 能带的概念 • 有效质量的概念 • 载流子的概念 • 多能谷半导体 • 态密度 §1-4 平衡载流子和非平衡载流子 §1-5 载流子输运理论

本课程是一门将微机原理与单片机结合起来的技术基础课，通过本课程的学习，目的是使学生能掌握单片微机的组成结构、工作原理、编程方法和接口技术等方面的知识，培养学生的微机应用能力。其主要任务是讲授微机基本组成、MCS—51单片机结构，汇编语言程序设计、中断与定时、并行接口、模拟与数字转换接口和串行接口等内容

第一节寻址方式 第二节程序地址的生成 第三节流水线操作技术 第四节指令系统概述

本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用