2.1 阴极射线管 2.1.1 黑白显像管 2.1.2 彩色显像管 2.2 液晶显示 2.2.1 液晶的基本知识 2.2.2 扭曲向列型液晶显示（TN-LCD） 2.2.3超扭曲向列型液晶显示（STN-LCD） 2.2.4有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD） 2.3等离子体显示 2.3.1气体放电基本知识 2.3.2单色等离子体显示 2.3.3彩色等离子体显示 2.4 其它显示技术 2.4.1 投影显示 2.4.2 真空荧光显示 2.4.3 电致变色显示 2.4.4 电泳显示 2.5 TN型液晶光阀电光特性的实验研究

本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况；第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用；8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用

传统的温差发电（TEG）和有机朗肯循环（ORC）等技术难以兼顾船舶多种性质余热的不同特点，且利用率较低。本文提出了一种TEG-ORC联合循环船舶余热梯级利用系统，研究了ORC底循环蒸发压力变化对系统输出功率、热效率、多级余热利用量和成本等重要性能的影响。结果表明，TEG-ORC联合循环实现了发电成本和热效率的优化，在TEG/ORC底循环比为0.615的工况下，主机烟气余热利用率随ORC蒸发压力的增加在小区间波动，系统的余热利用功率、输出功率和热效率均随ORC蒸发压力的增加而增大，系统单位发电成本随ORC蒸发压力的增加而降低。在ORC蒸发压力达到0.9 MPa时，主机烟气余热利用率为62.15%，余热利用功率为1919.68 W，输出功率为139.22 W，热效率为7.25%，单位发电成本为3.09 ￥·(kW·h)–1

8.1 芳香烃分类与苯的结构 8.2.5 苯环侧链的α-H的 芳 烃 类与苯 8.1.1 芳香烃的分类 苯的结构 卤化反应 8.1.2 苯的结构 8 3 苯环上亲电取代反应 8.2 单环芳烃的化学性质 8.3 苯环上亲电取代反应 定位规律 8.2.1 苯环上亲电取代反应 822 苯环上的自由基取代 8.3.1 相对反应活性和定 8.2.2 苯环上的自由基取代 位效应的测定 反应 位效应的测定 8.3.2 苯环上亲电取代定 8.2.3 氧化反应 824 还原反应 位规律 8.2.4 还原反应 8 4 多环芳烃 2 8.4 多环芳烃 8.4.1 多苯代脂烃 8.5 芳香性及非苯芳烃 8.4.2 联苯型芳烃 稠 芳烃 8 5 芳香性及非苯芳烃 8.5.1 Hückel规则——芳 8.4.3 稠环芳烃 8.4.4 足球烯与碳纳米管 香性的判据 8.5.2 非苯芳烃

光电效应: 光照射某些金属时能从表面释放出电子的效应 产生的电子称为光电子 光电效应是赫兹在1887年发现的.1896年汤姆逊发现了电 子之后,勒纳德证明了光电效应中发出的是电子

1.电偶极子模型 模型 光通过物质时,物质中的原子、离子或分子的电荷在入射光电矢量作用下做受迫振动

采用水热法和还原氮化法合成了菊花状形貌的氮化钛（TiN）纳米材料，并将其与还原氧化石墨烯（rGO）水热复合制备了氮化钛–还原氧化石墨烯（TiN-rGO）复合材料。利用扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试方法对材料的形貌和物相进行了表征和分析。结果表明，TiN-rGO复合材料很好地保持了TiN菊花状的三维结构和rGO透明褶皱的形貌，且层状的rGO均匀地包覆在了菊花状的TiN的周围。用TiN-rGO复合材料修饰玻碳电极（GCE）制得了TiN-rGO/GCE电化学传感器，用于测定人体中的生物小分子DA和UA。由于复合材料中TiN和rGO的协同效应，构建的电化学传感器表现出了优秀的电化学性能。检测结果表明：TiN-rGO/GCE传感器对DA和UA的检测限分别为0.11和0.12 μmol·L?1，线性范围分别为0.5～210 μmol·L?1和5～350 μmol·L?1，且具有良好的抗干扰性、重现性和稳定性，且成功应用于人体内真实样品的DA和UA检测

以过渡金属硫酸盐、氢氧化钠、氨水为原料，通过连续共沉淀–高温固相法制备了富锂锰基正极材料Li1.17Ni0.33Mn0.5O2。对其进行了包括微观形貌、宏观形貌、晶体结构、电化学性能等方面的表征，研究了前驱体烘干温度对于粒度较小前驱体的宏观形貌及锂化后正极材料的微观形貌和电化学性能的影响。结果表明，烘干温度较高的前驱体在烘干后出现了明显了宏观烧结现象，锂化并涂布后出现了明显的颗粒；烘干温度较低的前驱体在烘干后并未出现宏观烧结现象，锂化并涂布后未出现明显的颗粒。在电化学性能方面，前驱体烘干温度较高的正极材料在经历50个循环后，可逆比容量只剩下85%，下降比较明显；前驱体烘干温度较低的正极材料在经历了50个循环后，可逆比容量未出现明显下降

①栅源电压对1的控制作用 ②漏源电压对i的影响

半导体二极管及基本电路 一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路分析 五、特殊二极管