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⒈ 工作原理 u2正半周,VD正偏导通;u2负半周,VD反偏截止
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研究了X70管线钢缝隙在含Cl-、SO42-溶液中阴极极化行为.实验结果表明:在-1000mV(CSE)缝口控电位下,随着缝隙开口尺寸增大,缝隙尖端越靠近缝口控电位;在同一缝隙开口尺寸时,随着缝口控电位的增大,缝隙内越容易达到保护状态.欠保护状态下,缝隙腐蚀会发生,缝隙内溶液pH值降低;保护状态下,缝隙内溶液pH值升高有碱化趋势
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7.1氧化原反应的基本概念 7.2电化学电池 7.3电极电势 7.4电极电势的应用
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1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量
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利用透射电镜研究了采用\固有抑制剂法\低温板坯加热技术生产的取向电工钢热轧板中抑制剂的析出行为,探讨了板坯加热温度对二次再结晶和成品磁性的影响.结果表明:热轧板中析出相以复合硫化物为主;随着板坯加热温度的提高,复合硫化物中铜锰比增高,析出相尺寸减小,分布更均匀,同时AlN析出增多,使得抑制力更强,二次再结晶更完善,磁性更好
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一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极
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(一):课程的性质 电子类专业、计算机类专业必修课。 (二):课程的地位 本课程是安徽师范大学电子类专业、计算机类专业本科生的主要技术基础课
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⒈ 组合逻辑电路 任一时刻稳态输出只取决于该时刻输入信号的组合,而与电路原来状态无关,称为组合逻辑电路。 ⒉ 组合逻辑电路的分析和设计 组合逻辑电路的分析:已知组合逻辑电路,求出输入输出逻辑表达式(逻辑功能)
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提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的
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插入多媒体对象 3.3.1插入并设置 Shockwave电影 1.插入并设置 Shockwave电影 (1)将光标放到要插入 Shockwave电影的位置。 (2)单击“插入”>“媒体”“Shockwave命令,或单击“插入”面板上“常规”子面板上的“Shockwave”按钮,或按Ctrl+Alt+组合键,打开“选择文件”对话框
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