一、单限电压比较器 二、迟滞电压比较器

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

一、乙类互补对称功率放大电路 二、甲乙类互补对称功率放大电路

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

第二讲半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、P结的电容效应

一、前言 二、核能发电技术研究最新进展 三、核能发电技术学科发展趋势及展望 四、创新发展机制分析与建议 五、小结

 3. 诱发脑电与事件相关电位  4. 脑电正问题与逆问题

11.1随机存取存储器(RAM) 11.2可编程逻辑器件

一、时间序列自回归模型 二、时间序列向量自回归模型 三、格兰杰因果关系检验 四、格兰杰因果在脑电中的应用 五、补充知识

第三节放大电路的微变等效电路分析法 一、晶体管微变等效电路分析 二、用微变等效电路分析放大器