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1.了解三相交流电源的产生和特点。 2.握三相四线制电源的线电压和相电压的关系 3.掌握对称三相负载Y形连接和Δ连接时,负载教学重点线电压和相电压、线电流和相电流的关系 4.掌握对称三相功率的计算方法
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半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍
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微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备
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从重庆市政府今天召开的新闻发布会上获 悉,世界上第一颗采用0.13微米工艺的TD- SCDMA手机核心芯片 在重庆邮电学院研发成功。它标志着具有我国自主知识产权的3G 通信核心芯片的关键技术达到了世界领先水平,它将推进3G手机 芯片快速走向商业化道路 3G手机核心芯片的开发成功
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计算机网络安全 第1章网络安全概述 第2章操作系统安全 第3章网络通信安全 第4章Web安全 第5章数据安全 第6章病毒 第7章黑客攻击与防范 第8章防火墙技术 第9章网络安全产品介绍 第10章网络安全的法律法规
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建立数据链路就是在两个或多个网络实体间建 立一条逻辑通道。 过程:发方网络层向其数据链路层发出链接请 求,要求数据链路层为它建立一条链接。通过 收方数据链路层向其网络层发出链接指示原语, 通知网络层,有一链接请求出现。收方网络层 以链接响应原语应答链接指示原语。通过发方 数据链路层向其发方网络层发出链接确认原语, 使发方获悉请求是否被成功执行,若不成功, 是何原因
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第一章 绪论 第二章 逻辑代数基础 第三章 逻辑门电路 第四章 集成触发器 第五章 脉冲信号的产生与整形 第六章 组合逻辑电路 第七章 时序逻辑电路 第八章 数模和模数转换器 第九章 半导体存储器
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TCPP、HTM和Web等技术,可以用于企 业内部信息网的建设 intranet Extranet直接利用较便宜的公共 Internet网, 作为与外部合作伙伴的联系桥梁 Extranet Extranet-+附加的安全保密措施,好像企业 与合作方已建立一个安全通道——虚拟专 用网VPN
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