5.1 基本斩波电路 5.1.1 降压斩波电路 5.1.2 升压斩波电路 5.1.3 升降压斩波电路和Cuk斩波电路 5.1.4 Sepic斩波电路和Zeta斩波电路 5.2 复合斩波电路和多相多重斩波电路 5.2.1 电流可逆斩波电路 5.2.2 桥式可逆斩波电路 5.2.3 多相多重斩波电路 5.3 带隔离的直流直流变流电路 5.3.1 正激电路 5.3.2 反激电路 5.3.3 半桥电路 5.3.4 全桥电路 5.3.5 推挽电路 5.3.6 全波整流和全桥整流 5.3.7 开关电源 6.1 交流调压电路 6.1.1 单相交流调压电路 6.1.2 三相交流调压电路 6.2 其他交流电力控制电路 6.2.1 交流调功电路 6.2.2 交流电力电子开关 6.3 交交变频电路 6.3.1 单相交交变频电路 6.3.2 三相交交变频电路 一 PWM的基本原理 二 PWM控制方式 （1）计算法 （2）调制法 三 PWM在逆变电路中的应用（电压型） 四 PWM调制方式

8.1 半导体三极管 8.1.1 三极管结构与类型 8.1.2 三极管的电流放大作用 8.1.3 三极管的输入特性与输出特性 8.1.4 三极管的主要参数 8.2 三极管放大电路的组成 8.2.1 三极管放大时的三种组态 8.2.2 放大器的组成 8.2.3 放大器的放大倍数及增益 8.3 共发射极放大电路 8.3.1 电路的构成 8.3.2 电路的静态分析 8.3.3 电路的动态分析 8.3.4 共发射极放大电路的特点与应用 8.4 共集电极放大电路 8.4.1 电路的构成 8.4.2 电路分析 8.4.3 共集电极放大电路的特点与应用 8.5 功率放大电路 8.5.1 功率放大电路的类型及特点 8.5.2 OCL功率放大电路 8.5.3 OTL功率放大电路 8.6 单管放大电路实验 8.6.1 实验目的 8.6.2 实验仪器 8.6.3 实验电路 8.6.4 实验内容 8.6.5 思考题 8.7 功率放大器实验 8.7.1 实验目的 8.7.2 实验仪器 8.7.3 实验电路 8.7.4 实验内容 8.7.5 思考题

本文研究了N2/H2比对氮化钛涂层的晶格常数、硬度、沉积速率的影响,在N2/H2≈1/2时得到组成近似于化学计量的氮化钛,涂层硬度和沉积速率最高,涂层模具的寿命比不涂层的可提高4倍

10.1 单片机扩展D/A转换器概述 10.2 单片机扩展并行8位DAC0832的设计 10.2.1 DAC0832简介 10.2.2 单片机与8位D/A转换器0832的接口设计 10.3 AT89S52单片机与12位D/A转换器AD667的接口设计 10.3.1 12位D/A转换器AD667简介 10.3.2 AD667与AT89S51单片机的接口设计 10.3.3 AD667使用中的技术细节 10.4 AT89S51与串行输入的12位D/A转换器AD7543的接口设计 10.4.1 AD7543简介 10.4.2 单片机扩展AD7543的接口设计 10.5 单片机扩展A/D转换器概述 10.6 单片机扩展并行8位A/D转换器ADC0809 10.6.1 ADC0809简介 10.6.2 单片机与ADC0809的接口设计 10.7 AT89S52单片机扩展12位串行ADC-TLC2543的设计 10.7.1 TLC2543的特性及工作原理 10.7.2 单片机扩展TLC2543的设计 10.8 AT89S52与双积分型A/D转换器MC14433的接口 10.8.1 MC14433 A/D转换器简介 10.8.2 单片机与MC14433的接口设计 10.9 AT89S52单片机与V/F转换器的接口 10.9.1 用V/F转换器实现A/D转换的原理 10.9.2 常用V/F转换器LMX31简介 10.9.3 V/F转换器与单片机的接口设计 10.9.4 V/F转换的应用设计

本文研究了Ni16Cr,Ni16Cr3AI、Ni16Cr3Ti及Ni16Cr2Nb等合金在700℃,常压下于O2-10%(SO2+SO3)环境条件下硫化-氧化行为.通过X-射线衍射及扫描电镜技术对腐蚀产物组成及形貌进行了观察。在含有SO3的情况下,Nil6Cr合金腐蚀速度较快,加入2%的Nb,对其抗腐蚀性能无太大影响,加入3%的Al或Ti时的腐蚀速度明显下降。主要腐蚀产物以初始合金表面为界分为内、外两层。外层是NiO和Ni3S2的混合物,内层包括所有合金元素的氧化物和硫化物。整个反应中包含Ni由合金基体向腐蚀产物的外层扩散,以及硫和氧在相反方向上的迁移。腐蚀产物层中传质分析表明,氧化物-硫化物混合产物层的组织形态,对控制整个传质过程起着主要作用

二、原子能级的量子数 主量子数n:表示电子离核的远近程度或电子层数,是决 定电子能量的主要参数。n=1,2,.,用K,L,M.表示; 角量子数l:表示电子的亚层能级,描述电子轨道。l=0,1,2, n-1,用s,p,d,f表示; 磁量子数m:决定电子轨道在空间的方向,m=±1,2,…,± ,共(2+1)个,表示口并度; 自旋量子数m:取+1/2和-1/2,分别表示二种自旋方向

第2章放大电路基础 2-1共射基本放大电路 2-2其它形式的电路 2-3多级放大电路 2-4放大电路的频率特性

第4章局域网 4.1局域网概述 4.2传统以太网 4.2.1以太网的工作原理 4.2.2传统以太网的连接方法 4.2.3以太网的信道利用率 4.3以太网的MAC层 4.3.1MAC层的硬件地址 4.3.2两种不同的MAC帧格式 *4.4 扩展的局域网 4.4.1 在物理层扩展局域网 4.4.2 在数据链路层扩展局域网 4.5 虚拟局域网 4.5.1 虚拟局域网的概念 4.5.2 虚拟局域网使用的以太网帧格式 *4.6 高速以太网 4.6.1 100BASE-T 以太网 4.6.2 吉比特以太网 4.6.3 10 吉比特以太网 4.7 其他种类的高速局域网 4.7.1 100VG-AnyLAN 局域网 4.7.2 光纤分布式数据接口 FDDI 4.7.3 高性能并行接口 HIPPI 4.7.4 光纤通道 4.8 无线局域网 *4.8.1 无线局域网的组成 4.8.2 802.11 标准中的物理层 4.8.3 802.11 标准中的 MAC 层

1均衡和调节 1．1 调节的目的 1．2 调节的方式 1．3 调节池体积的确定 1．4 废水浓度的调节 1．5 调节池的位置 2格栅与筛滤连 2．1 格栅 2．2 筛网 2．3 筛余物的处置 3 重力沉降法连 3．1 概述 3．2 自由沉降试验及去除率 的计算连 3．3影响絮凝沉降速度的因素 连 3.4 理想沉淀池工作过程分析 连 3.5 沉砂池连 3.6 沉淀池 3.7 隔油池

课程结构共分为十七讲，按照历史到现实，国际到国内，宏观到微观的顺序安排，授课时间一共32个学时，另外有期中考试和期终考试分别2个课时，一共为36个学时。其中包括期中考试前和考试后分别有一次专门讨论课程。 第一讲 多边贸易体制的产生与发展 1 课时 第二讲 世贸组织组织架构及运行机制 2 课时 第三讲 世贸组织的基本原则 1 课时 第四讲 规范货物贸易的规则（一）：《1994 年关贸总协定》 2 课时 第五讲 规范货物贸易的规则（二）：部门协议 2 课时 第六讲 规范货物贸易的规则（三）：规范非关税措施的协议 2 课时 第七讲 规范货物贸易的规则（四）：贸易救济协议 3 课时 第八讲 《与贸易有关的投资措施协议》 2 课时 第九讲 规范服务贸易的规则——《服务贸易总协定》 3 课时 第十讲 规范知识产权保护的规则——《知识产权协定》 1 课时 第十讲 多哈回合与发展中国家 2 课时 第十讲 中国与 GATT\\WTO 的关系 1 课时